| 发明名称 | 贴合半导体衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 将离子注入后、贴合、通过热处理而剥离后的贴合衬底的活性层表面采用有蚀刻作用的溶液只蚀刻1nm～1μm，使最终的活性层厚度为200nm以下。使用SC－1液体。在蚀刻前后也可以实施抛光、氢退火、牺牲氧化。能使将该薄膜活性层的膜厚在整个表面均匀化，降低其表面粗糙度。 | ||
| 申请公布号 | CN1894795A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200480015389.1 | 申请日期 | 2004.04.02 |
| 申请人 | 株式会社SUMCO;汉阳大学产学协力团 | 发明人 | 神山荣治;加藤健夫;朴在勤 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;邹雪梅 |
| 主权项 | 1.一种贴合衬底，其特征在于，以控制活性层厚度为目的，将剥离活性层用晶片的一部分而在支撑衬底上形成的活性层的表面采用具有蚀刻作用的溶液只蚀刻1nm～1μm，使最终活性层的厚度为200nm以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||