| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可以在焊盘的下方设置半导体器件并且可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层(10)，具有器件形成区(10A)和设置在该器件形成区(10A)周围的器件分离区(20)；器件(30)，形成在所述器件形成区(10A)内；层间绝缘层(60)，设置在所述半导体层(10)的上面；及电极垫(62)，设置在所述绝缘层(60)的上面，并且平面形状为具有短边和长边的长方形，并且在俯视图上与所述器件(30)至少一部分重复；其中，在所述半导体层(10)中，从所述电极垫(62)的所述短边的垂直下方朝向外侧的规定范围是器件禁止区(12)。 | ||
| 申请公布号 | CN1893075A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200610090383.1 | 申请日期 | 2006.07.05 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 进藤昭则;田垣昌利;栗田秀昭 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L23/485(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于包括：半导体层，具有器件形成区和设置在所述器件形成区周围的器件分离区；器件，形成在所述器件形成区内；层间绝缘层，设置在所述半导体层上面；以及电极垫，设置在所述层间绝缘层的上面，并且平面形状为具有短边和长边的长方形，在俯视图上所述电极垫与所述器件一部分重复；其中，在所述半导体层中，从所述电极垫的所述短边的垂直下方朝向外侧的规定范围是器件禁止区。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||