发明名称 |
制造CMOS图像传感器的方法 |
摘要 |
提供一种CMOS图像传感器的制造方法。该方法包括形成层间绝缘层,滤色层,以及平滑层。在平滑层上涂覆第一光致抗蚀剂,并使用第一掩模进行构图,以形成对应于半导体衬底上的光电二极管的微透镜图案。对微透镜图案进行重熔,以形成拱顶形微透镜。在半导体衬底的整个表面上涂覆第二光致抗蚀剂,并使用第二掩模进行构图,用于在微透镜的顶部保留第二光致抗蚀剂。使用构图后的第二光致抗蚀剂作为掩模,有选择地去除微透镜的边缘部分,并使得微透镜之间的CD(临界尺寸)空间均匀。 |
申请公布号 |
CN1893026A |
申请公布日期 |
2007.01.10 |
申请号 |
CN200610094161.7 |
申请日期 |
2006.06.27 |
申请人 |
东部电子有限公司 |
发明人 |
尹准韩 |
分类号 |
H01L21/822(2006.01);H01L27/146(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/822(2006.01) |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
李涛;钟强 |
主权项 |
1.一种用于制造CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器的方法,包括:在其中形成至少一个光电二极管和晶体管的半导体衬底的整个表面上形成层间绝缘层;在层间绝缘层上形成对应于每个光电二极管的滤色层;在包括滤色层的半导体衬底的整个表面上形成平滑层;在平滑层上涂覆第一光致抗蚀剂,并使用第一掩模进行构图,以形成对应于光电二极管的微透镜图案;对微透镜图案进行重熔,以形成拱顶形微透镜;在包括微透镜的半导体衬底的整个表面上涂覆第二光致抗蚀剂,并使用第二掩模进行构图,用于在微透镜的顶部保留第二光致抗蚀剂;以及使用构图后的第二光致抗蚀剂作为掩模有选择地去除微透镜的边缘部分,并使得微透镜之间的CD(临界尺寸)空间均匀。 |
地址 |
韩国首尔 |