| 发明名称 | 一种功率MOSFET器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种功率MOSFET器件，它可以提高功率MOSFET的带载能力、击穿电压、防止寄生MOSFET、减小寄生延时。MOSFET的漏极铝线的宽度随电流减小而逐渐变窄，MOSFET的源极铝线的宽度随电流减小而逐渐变窄。并且以N阱或P阱作为功率MOSFET的漂移区，功率MOSFET的多晶栅伸出有源区部分作为场板，并环绕所述MOSFET的漏极，又有，功率MOSFET的多晶栅的两边均以金属连线引出，并用所述金属连接功率MOSFET的多晶栅的两头，另外功率MOSFET的漂移区、有源区的弯曲处采用弧形或多边形结构。 | ||
| 申请公布号 | CN2857224Y | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200520043387.5 | 申请日期 | 2005.07.13 |
| 申请人 | 技领半导体(上海)有限公司;技领半导体国际有限公司 | 发明人 | 黄树良;谢锋民;邵栎瑾 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/40(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种功率MOSFET器件，其特征在于：所述MOSFET的漏极铝线的宽度随电流减小而逐渐变窄，所述MOSFET的源极铝线的宽度随电流减小而逐渐变窄，并且所述的MOSFET的漏极铝线和所述MOSFET的源极铝线之间交叉布线。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区碧波路456号A307室 | ||