| 发明名称 | 具有共振隧穿效应的双势垒隧道结传感器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有共振隧穿效应的双势垒隧道结传感器，包括：一个下部层(L1)，该下部层(L1)由铁磁性材料或半铁磁性材料制成；一个形成于所述下部层(L1)之上的第一隧道绝缘层(I1)；一个形成于所述第一隧道绝缘层(I1)之上的中间层(L2)，该层由铁磁性材料或半金属磁性材料或非磁性金属材料或半导体材料制成；一个形成于中间层(L2)之上的第二隧道绝缘层(I2)；和一个形成于第二隧道绝缘层(I2)之上的上部层(L3)，该层由铁磁性层或半金属磁性层构成。采用这种结构，由于电子在隧穿两个部隧道绝缘层过程中发生共振隧穿效应而具有较高的TMR值，因而用这种隧道结制作的磁传感器有更高的分辨率。 | ||
| 申请公布号 | CN1294559C | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200410081170.3 | 申请日期 | 2004.10.10 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 曾中明;韩秀峰;张谢群;瑞哈娜;赵静;姜丽仙;詹文山 |
| 分类号 | G11B5/33(2006.01);G11B5/39(2006.01) | 主分类号 | G11B5/33(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 尹振启 |
| 主权项 | 1、一种具有共振隧穿效应的双势垒隧道结传感器，其特征在于，它包括：一个下部层(L1)，该下部层(L1)由铁磁性材料或半金属磁性材料制成；一个形成于所述下部层(L1)之上的第一隧道绝缘层(I1)；一个形成于所述第一隧道绝缘层(I1)之上的中间层(L2)，该层由铁磁性材料或半金属磁性材料或非磁性金属材料或半导体材料制成；一个形成于中间层(L2)之上的第二隧道绝缘层(I2)；和一个形成于第二隧道绝缘层(I2)之上的上部层(L3)，该层由铁磁性层或半金属磁性层构成；其中，所述下部层(L1)由铁磁性层(22A)、一个形成于该铁磁性层(22A)之上的反铁磁性层(22B)以及一个形成于反铁磁性层(22B)之上的铁磁性层(22C)构成，所述上部层(L3)由一层铁磁性层(24A)以及另一个铁磁性层(24C)构成。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||