发明名称 |
存储设备和半导体器件 |
摘要 |
本发明的一个目的是提供非易失性的、可重写的、便于制造的、以及便宜的存储元件、存储设备和半导体器件,它们的开关特性较佳并具有较低的工作电压。在包括第一导电层、面向第一导电层的第二导电层、以及包含设置在第一导电层和第二导电层之间的至少一类有机化合物的层的元件中,该有机化合物可电化学地掺杂和除杂。通过将电流馈入该元件,对设置在导电层之间的有机化合物进行电化学掺杂,即输运电子,从而电导率可增大约3到10位。 |
申请公布号 |
CN1893139A |
申请公布日期 |
2007.01.10 |
申请号 |
CN200610095668.4 |
申请日期 |
2006.06.29 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
野村亮二 |
分类号 |
H01L51/05(2006.01);H01L27/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L51/05(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
沈昭坤 |
主权项 |
1.一种存储设备,包括:存储元件,包括第一导电层、第二导电层、以及设置在第一导电层和第二导电层之间的包含至少一类有机化合物的层,其中当在所述第一导电层和第二导电层之间馈入电流时,有机化合物被还原,且所述第一导电层和第二导电层之一被氧化,使得所述第一导电层和第二导电层之一被部分离子化。 |
地址 |
日本神奈川县 |