| 发明名称 | 氮化物类半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物类半导体元件，其具备具有主表面的氮化物类半导体层、和在上述氮化物类半导体层的主表面上形成的欧姆电极，上述欧姆电极包含与上述氮化物类半导体层的主表面接触形成的硅层、和在上述硅层上形成的第一金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN1893110A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200610095956.X | 申请日期 | 2006.06.29 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 狩野隆司;太田洁 |
| 分类号 | H01L29/45(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L29/45(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种氮化物类半导体元件，其特征在于：具备：具有主表面的氮化物类半导体层；和在所述氮化物类半导体层的主表面上形成的欧姆电极，所述欧姆电极包含：与所述氮化物类半导体层的主表面接触形成的硅层；和在所述硅层上形成的第一金属层。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||