具有氧化物间隔层的应变源漏CMOS的集成方法

摘要

本发明提出了具有氧化物间隔层的应变源漏CMOS的集成方法，包括将以氧化物间隔层和多晶硅硬掩模为掩模的硅锗外延生长源漏的PMOS和具有硅碳外延生长源漏的NMOS的制作和安全去除硬掩模集成的方法，该方法可以最少的步骤完成具有氧化物间隔层的应变源漏CMOS的制作。

主权项

1.具有氧化物间隔层的应变源漏CMOS集成方法，包括：形成多晶硅栅导电结构和多晶硅硬掩模，于CMOS的PMOS和NMOS区域；淀积多晶硅间隔层材料；光刻胶保护NMOS区域，暴露PMOS区域；刻蚀形成PMOS区域间隔层；PMOS区域自对准硅衬底凹陷刻蚀，并外延生长硅锗层；去除NMOS区域的光刻胶并清洗；覆盖氮化物层；光刻胶保护PMOS区域，暴露NMOS区域，去除NMOS区域氮化物层；刻蚀形成NMOS区域间隔层；去除PMOS区域的光刻胶并清洗；NMOS区域自对准硅衬底凹陷刻蚀，并外延生长硅碳层；同时去除多晶硅硬掩模和氮化物层。