| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 在包括栅极长度方向中从栅极电极端部到半导体区域端部为止的距离不同的复数个金属绝缘体半导体晶体管的半导体装置中，使各晶体管的特性一致。第一半导体区域(RP1)的栅极长度方向的宽度(F1a、F1b)，形成的比第二半导体区域(RP2)的栅极长度方向的宽度(F2a、F2b)小。这种情况下，第一半导体区域RP1的栅极宽度方向的宽度(W1)，形成的比第二半导体区域(RP2)的栅极宽度方向的宽度(W2)宽。 | ||
| 申请公布号 | CN1893084A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200610100743.1 | 申请日期 | 2006.07.04 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 山田隆顺;柁谷敦宏;石仓聪 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L27/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/11(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，具有第一金属绝缘体半导体晶体管及第二金属绝缘体半导体晶体管，其特征为：上述第一金属绝缘体半导体晶体管，包括：第一源·漏极区域，是半导体衬底的一部分，形成在被元件隔离区域所围的第一半导体区域，和第一栅极电极，形成在上述第一半导体区域上，具有第一栅极长度及第一栅极宽度；上述第二金属绝缘体半导体晶体管，包括：第二源·漏极区域，是上述半导体衬底的一部分，形成在被上述元件隔离区域所围的第二半导体区域，和第二栅极电极，形成在上述第二半导体区域上，具有第二栅极长度及第二栅极宽度；上述第一栅极电极和上述第二栅极电极由共同的膜形成，上述第一栅极宽度，比上述第二栅极宽度要宽，上述第一半导体区域的栅极长度方向的宽度，比上述第二半导体区域的栅极长度方向的宽度要窄。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||