| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，其中分别隔着栅极绝缘膜(8a、9a)，在单晶半导体层(5a、6a)上形成以横跨元件分离绝缘层(7a)的方式配置的栅电极(10a)，在单晶半导体层(5a)形成以夹持栅电极(10a)的方式配置的P型源极层(11a)及P型漏极层(12a)，在单晶半导体层(6a)形成以夹持栅电极(10a)的方式配置的N型源极层(13a)及N型漏极层(14a)，形成贯通栅电极(10a)、元件分离绝缘层(7a)及绝缘层(4a)并与半导体层(3a)连接的嵌入电极(15a)。从而，不但抑制芯片尺寸的增大，还在配置于绝缘体上的导电型不同的场效应型晶体管下形成场电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1893093A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200610101477.4 | 申请日期 | 2006.07.10 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 加藤树理 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：以共用栅电极的方式形成有P沟道场效应型晶体管及N沟道场效应型晶体管的半导体层；被共通配置于所述P沟道场效应型晶体管及N沟道场效应型晶体管双方的沟道中，并隔着第一绝缘层形成于所述半导体层的背面侧的场电极；和配置于所述场电极下的第二绝缘层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||