| 发明名称 | 半导体器件、RF－IC及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种能够减小电容器的寄生电容同时减小被电容器占据的空间的技术。通过在由下电极、电容器绝缘膜和中间电极组成的电容器上方形成由中间电极、另一电容器绝缘膜和上电极组成的另一电容器获得层叠结构。由于中间电极具有台阶差，在除电容器形成区域之外的区域中，中间电极和下电极之间的距离以及中间电极和上电极之间的距离中每一个都变得大于在电容器形成区域中的距离。例如，在电容器形成区域中使下电极与电容器绝缘膜直接接触，而在除电容器形成区域以外的区域中使下电极不与电容器绝缘膜直接接触。 | ||
| 申请公布号 | CN1893067A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200610093537.2 | 申请日期 | 2006.06.26 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 藤原刚;今井俊则;才川健志;川崎义博;户谷光广;森俊二;冈部义行 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L27/102(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L29/92(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8222(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L27/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：由金属膜制成的第一电极；形成在所述第一电极上方的第一电容器绝缘膜；由金属膜制成且形成在所述第一电容器绝缘膜上方的第二电极；形成在所述第二电极上方的第二电容器绝缘膜；以及由金属膜制成且形成在所述第二电容器绝缘膜上方的第三电极，其中所述第一电极包括一个具有不与所述第一电容器绝缘膜直接接触的部分的电容器。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||