| 发明名称 | 具有碳堆叠电容器的DRAM | ||
| 摘要 | 公开了一种DRAM堆叠电容器及其其制造方法。该DRAM堆叠电容器形成有包括导电碳层的第一电容器电极、电容器介电层和第二电容器电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1893083A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200610100187.8 | 申请日期 | 2006.06.30 |
| 申请人 | 秦蒙达股份公司 | 发明人 | A·格拉哈姆;G·迪斯伯格;W·施泰因赫格尔 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 顾珊;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种DRAM堆叠电容器，包括：提供于导电区上的第一电容器电极，该导电区电连接至半导体衬底内的存储单元的传输器件，该第一电容器电极包括导电碳层；提供于该第一电容器电极上的电容器介电层；以及提供于该电容器介电层上的第二电容器电极。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||