发明名称 | 无色碳化硅晶体的生长 | ||
摘要 | 在一个炉式升华系统中生长了大尺寸的单晶碳化硅。为了产生基本无色的晶体,生长了具有均衡含量的p型和n型掺杂剂(大致等量的两种掺杂剂)。所说的晶体可以琢磨加工成具有超常韧性和硬度以及满足或超过钻石的光彩的人造宝石。 | ||
申请公布号 | CN1891866A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
申请号 | CN200610088688.9 | 申请日期 | 1997.01.24 |
申请人 | 克里公司 | 发明人 | C·H·卡特;V·F·特斯维特科夫;R·C·格拉丝 |
分类号 | C30B29/36(2006.01) | 主分类号 | C30B29/36(2006.01) |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
主权项 | 1、一种用无色的单晶碳化硅形成的人造宝石,含有均衡含量的氮作为n型掺杂剂和铝作为p型掺杂剂,在所说的晶体中存在的所述氮掺杂剂和所述铝掺杂剂各自的浓度范围在约1×1016cm-3和1×1018cm-3之间,并且,在整个晶格中铝掺杂剂原子的浓度在氮掺杂剂原子浓度的2~5倍的范围内。 | ||
地址 | 美国北卡罗莱纳 |