| 发明名称 | 形成半导体结构或元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成半导体结构或元件的方法。先提供一基底。一栅电极接着形成于该基底上。一源/漏极区形成于该基底。一非晶区形成于该栅电极与该源/漏极区的一上部分。一应力盖层形成于该非晶区上。对该非晶区进行极速退火，并使该非晶区结晶。该应力盖层大致全部移除。本发明所述形成半导体结构或元件的方法，可提供金属氧化物半导体元件的沟道区适当的应力。 | ||
| 申请公布号 | CN1892998A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200510136575.7 | 申请日期 | 2005.12.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈建豪;聂俊峰;李资良;陈世昌;梁孟松 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，所述形成半导体结构的方法包含有：提供一基底；形成一栅电极于该基底上；形成一源/漏极区于该基底；形成一非晶区于该栅电极与该源/漏极区的一上部分；形成一应力盖层于该非晶区上；对该非晶区进行极速退火，并使该非晶区结晶；以及大致移除全部的该应力盖层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||