| 发明名称 | 具有栅极间插件的闪存器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器件，包括：第一和第二单元栅极，形成在单元区域内；第一和第二外围栅极，形成在外围区域内；以及栅极间插件，位于第一和第二单元栅极之间。该栅极间插件包括第一绝缘层、形成在第一绝缘层上的第二导电层，以及形成在第二导电层上的第三绝缘层。通过形成栅极间插件和间隔，从而降低阈值电压Vt变化。本发明还提供一种制造闪存器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1893087A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200610110188.0 | 申请日期 | 2006.06.29 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李允峰 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种非易失性存储器件，包括：第一和第二单元栅极，形成在单元区域内部；第一和第二外围栅极，形成在外围区域内部；以及栅极间插件，位于所述第一和第二单元栅极之间，该栅极间插件包括第一绝缘层、形成在所述第一绝缘层上的第二导电层、以及形成在所述第二导电层上的第三绝缘层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||