| 发明名称 | 集成电路熔断器和制造方法 | ||
| 摘要 | 一种集成电路熔断器，包括：衬底中的P－型和N－型区，该P－型和N－型区在结处邻接；P型和N型结上的导电层；以及对导电层的电路连接，用于响应于熔断器编程信号来施加充分的电能以在结处使导电层开路。也提供一种用于制造集成电路熔断器的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1894793A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200480037619.4 | 申请日期 | 2004.12.17 |
| 申请人 | 模拟装置公司 | 发明人 | 约翰·M·扬 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01) | 主分类号 | H01L23/525(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种集成电路熔断器，包括：衬底中的P-型和N-型区，所述P-型和N-型区在结处邻接；导电层，在所述P型和N型结上；以及对所述导电层的电路连接，用于响应于熔断器编程信号来施加充分的电能以在所述结处使导电层开路。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||