| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一个目的在于提供制造半导体器件的方法，该方法消除了在将半导体元件形成在基片上后基片变薄或者除去基片的情形中，由于杂质元素或者水分等从外界进入而对半导体元件产生的影响。其一个特征是通过对基片进行表面处理在基片的至少一个侧面上形成起防护膜作用的绝缘薄膜，将半导体元件(比如薄膜晶体管)形成在所述绝缘薄膜上，和薄化所述基片。作为表面处理，对基片进行杂质元素的加入或者等离子处理。作为薄化基片的方法，通过对基片另一侧面进行研磨处理或者抛光处理等可以使基片被部分除去。 | ||
| 申请公布号 | CN1893033A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200610100198.6 | 申请日期 | 2006.06.30 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 大力浩二;楠本直人;鹤目卓也 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L21/84(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张轶东;段晓玲 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：通过在氮气氛中对基片进行等离子处理以氮化基片的至少一个侧面，从而在基片上形成氮化层；在所述氮化层上形成元件组；和薄化所述的基片。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||