| 发明名称 | 具有深开孔的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种制造具有深开孔的半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成绝缘层；选择性蚀刻绝缘层以形成第一开孔；扩大第一开孔的面积；在扩大的第一开孔的侧壁上形成抗弯隔离物；以及蚀刻残留在扩大的第一开孔下方的部分绝缘层以形成第二开孔。 | ||
| 申请公布号 | CN1892991A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200510097533.7 | 申请日期 | 2005.12.30 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 赵瑢泰;李海朾;曹祥薰 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨红梅;刘继富 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括；在衬底上形成绝缘层；选择性蚀刻绝缘层以形成第一开孔；扩大第一开孔的面积；在扩大的第一开孔的侧壁上形成抗弯隔离物；以及蚀刻残留在扩大的第一开孔下方的部分绝缘层以形成第二开孔。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||