| 发明名称 | 使用宽射束的非均一离子注入设备及方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非均一离子注入设备，包括：宽离子束产生器，用于产生宽离子束，该宽离子束包含照射在晶片被分成多个区中的至少二个区上的多个宽离子束；及晶片驱动单元，用于当以该宽离子束产生器所产生的宽离子束被照射在晶片上时垂直地往复移动该晶片。至少该宽离子束之一具有剂量不同于至少另一宽离子束的剂量。 | ||
| 申请公布号 | CN1891854A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200610004409.6 | 申请日期 | 2006.02.10 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李民镛 |
| 分类号 | C23C14/48(2006.01);C23C14/56(2006.01);H01J25/50(2006.01);H01J37/317(2006.01);H01L21/22(2006.01) | 主分类号 | C23C14/48(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种用于非均一离子注入工艺的设备，所述设备包括：宽离子束产生器，配置来产生多个宽离子束，所述宽离子束照射在晶片的多个区上；及晶片驱动单元，用于当所述宽离子束由宽离子束产生器照射在晶片上时移动晶片。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||