Verfahren zur Bildung einer Kanalzone eines Transistors und NMOS-Transistor,申请号DE2002135000-传众专利搜索

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发明名称	Verfahren zur Bildung einer Kanalzone eines Transistors und NMOS-Transistor
摘要
申请公布号	DE10235000(B4)	申请公布日期	2007.01.04
申请号	DE2002135000	申请日期	2002.07.31
申请人	INFINEON TECHNOLOGIES AG	发明人	WEBER, HANS;AHLERS, DIRK;WAHL, UWE;TIHANYI, JENOE;WILLMEROTH, ARMIN
分类号	H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/78	主分类号	H01L21/336
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