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Feldeffekttransistor mit DOLLAR A - einem Gate-Oxid, DOLLAR A - einer auf dem Gate-Oxid aufgebrachten polykristallinen Schicht und DOLLAR A - zumindest einem Spacer aus polykristallinem Silizium, DOLLAR A wobei das Gate-Oxid eine erste Dicke in einem ersten Bereich unterhalb der polykristallinen Siliziumschicht und eine zweite Dicke in einem zweiten Bereich unterhalb des zumindest einen Spacers aufweist und DOLLAR A wobei die zweite Dicke des Gate-Oxids in dem zweiten Bereich gegenüber der ersten Dicke des Gate-Oxids in dem ersten Bereich reduziert ist. |
