首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Trenchspeicherstruktur und Verfahren zum Ausbilden eines selbstjustierenden Buried-Strap-Kontakts unter Verwendung von dotiertem HDP-Oxid
摘要
申请公布号 DE102004013926(B4) 申请公布日期 2007.01.04
申请号 DE20041013926 申请日期 2004.03.22
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 BERGNER, WOLFGANG;BEINTNER, JOCHEN;CONTI, RICHARD A.;KNORR, ANDREAS;WEIS, ROLF
分类号 H01L27/108;H01L21/8242;H01L29/94 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com