Vertikalthyristor zum ESD-Schutz und Verfahren zur Herstellung eines Vertikalthyristor zum ESD-Schutz

摘要

Ein Vertikalthyristor für ESD-Schutz umfasst eine Anode (10), eine Kathode (16), eine erste Gate-Elektrode (12) und eine zweite Gate-Elektrode (14). Die erste (12) und zweite (14) Gate-Elektrode sind zwischen der Anode (10) und der Kathode (16) angeordnet, wobei die erste Gate-Elektrode (12) eine auf der Anode (10) gebildete epitaktische Siliziumschicht (20) ist und die zweite Gate-Elektrode (14) eine auf der ersten Gate-Elektrode (12) gebildete epitaktische Silizium-Germanium-Schicht (24) ist. Das Verfahren zur Herstellung eines solchen Vertikalthyristors umfasst die Schritte der Aufbringung einer epitaktischen Siliziumschicht (20) auf der Anode (10) und das Aufbringen einer epitaktischen Silizium-Germanium-Schicht (24) auf der epitaktischen Siliziumschicht (20), wobei die epitaktische Siliziumschicht (20) die erste Gate-Elektrode (12) bildet und die eptaktische Silizium-Germanium-Schicht (24) die zweite Gate-Elektrode (14) des Vertikalthyristors bildet.