Technik zur Herstellung von Kontaktisolationsschichten und Silizidgebieten mit unterschiedlichen Eigenschaften

摘要

Es wird eine Technik bereitgestellt, die die Herstellung von Metallsilizid individuell für n-Kanaltransistoren und p-Kanaltransistoren ermöglicht, wobei gleichzeitig ein verformungsinduzierender Mechanismus ebenfalls individuell für jeden Transistortyp bereitgestellt wird. Auf diese Weise kann ein Kobaltsilizid mit einem reduzierten Abstand zu dem Kanalgebiet eines NMOS-Transistors vorgesehen werden, während ein p-Kanaltransistor ein äußerst leitfähiges Nickelsilizid erhalten kann, ohne dass die Eigenschaften des n-Kanaltransistors nachteilig beeinflusst oder beeinträchtigt werden.