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Ein Halbleiterwafer, welcher allgemein kreisförmig ist und welcher auf seiner Seite einen ringförmigen Überschußbereich, der in einem Außenumfangskantenbereich der Seite vorhanden ist, und einen kreisförmigen Vorrichtungsbereich aufweist, der durch den Überschußbereich umgeben ist, wobei der Vorrichtungsbereich zahlreiche Halbleitervorrichtungen darin angeordnet aufweist. Eine kreisförmige Konkavität ist in der Rückseite des Halbleiterwafers in Übereinstimmung mit dem Vorrichtungsbereich ausgebildet, und der Vorrichtungsbereich ist relativ dünn, während der Überschußbereich relativ dick ist.
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