具有高氮化矽对氧化矽蚀刻选择比之乾蚀刻制程及其应用

摘要

一种制作半导体元件的方法，包含有于一半导体基底上形成闸极，且该闸极与该半导体基底之间为一闸极氧化层；于该闸极上以及该半导体基底上沈积氧化矽衬垫层；于该氧化矽衬垫层上沈积氮化矽层；以及利用溴化氢／氯气电浆，非等向性乾蚀刻该氮化矽层，直到暴露出该氧化矽衬垫层，以于该闸极的侧壁上形成侧壁子。