多晶矽薄膜电晶体及其制造方法

摘要

一种多晶矽薄膜电晶体的制造方法，是先提供基板，于基板上形成做为主动区的图案化非晶矽层。接着，于基板上依序形成闸极与隔离层。之后，于隔离层中形成结晶制程用开口与接触窗开口。然后进行金属诱发侧向结晶制程，以使非晶矽层转变为多晶矽层。继之，进行离子布植制程，以于闸极与闸极两侧的主动区植入离子。然后，于基板上形成金属层，并以微影蚀刻定义金属层而成为数个金属接点。其中金属接点经由此些接触窗开口分别与闸极与闸极两侧的主动区电性相连。由于结晶制程用开口与接触窗开口在同步骤形成，因此大幅减低了制造成本。