层间绝缘膜之形成方法、层间绝缘膜形成用之前躯物溶液、层间绝缘膜形成用之CVD原料以及矽氧烷低聚物形成用原料

摘要

使用电浆CVD法之层间绝缘膜形成方法，以含有1个以上矽原子之有机矽氧烷化合物作为原料，该矽原子具有在普通式：–O–Si(R1R2)–OR3(但R1及R2为同种或异种，为甲基、乙基、或丙基，R3与R1及R2为同种或异种，为甲基、乙基、丙基或苯基)中所示单元至少3个以上。