发明名称 半导体发光装置
摘要 一种半导体发光装置,包含:一半导体多层结构,其包含一发光层、一第一半导体层和一第二半导体层;一第一电极,其与在半导体多层结构中的第一半导体层形成欧姆接触;一第二电极,其与在半导体多层结构中的第二半导体层形成欧姆接触;以及一光反射器,其被配置邻近第二电极,用以反射来自发光层的至少一部分之发出光。第二电极具有复数个区域,其具有一宽度不大于一来自发光层的发出光之介质中波长的一半,发出光可在第二半导体层里传播。
申请公布号 TW200701523 申请公布日期 2007.01.01
申请号 TW095109186 申请日期 2006.03.17
申请人 东芝股份有限公司 发明人 酒井隆行
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本