| 摘要 |
本发明系提高半导体发光元件之光提取效率。半导体发光元件10中，缓冲层14、n型GaN层16、InGaN发光层18及P型GaN层32层叠在蓝宝石基板12上。在p型GaN层32上设置作为透明电极发挥机能之ZnO层24；在ZnO层24表面以二维周期性间隔形成有凹部。当把来自InGaN发光层18之光在空气中之波长设定为λ、将该波长λ在ZnO层之折射率设定为nzλ、将ZnO层和与其相接介质之界面之全反射角设定为θz时，相邻接凹部之周期性间隔Lz设定为λ／nzλ≦Lz≦λ／(nzλ×(1–sinθz))之范围。 |
