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发明名称
深沟渠之制备方法
摘要
本发明之深沟渠的制备方法包含形成至少一沟渠于一基板中、形成一含氮层于该沟渠之内壁、形成复数个覆盖该含氮层之局部表面的晶粒、形成一含磷氧化层于该含氮层之表面以及将该含磷氧化层转化为一蚀刻液以去除未被该晶粒覆盖之含氮层。该含氮层可为一氮化矽层,而该含磷氧化层可为一硼磷矽玻璃层或一磷矽玻璃层。将该含磷氧化层转化为一蚀刻液之方法可将该基板放置于水蒸气环境中,该含磷氧化层将与水蒸气反应生成磷酸,其可蚀刻该含氮层。
申请公布号
TW200701338
申请公布日期
2007.01.01
申请号
TW094121824
申请日期
2005.06.29
申请人
茂德科技股份有限公司
发明人
锺朝喜;简荣吾
分类号
H01L21/20(2006.01)
主分类号
H01L21/20(2006.01)
代理机构
代理人
冯博生
主权项
地址
新竹市科学工业园区力行路19号3楼
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