矽单晶之育成方法及矽晶圆之制造方法

摘要

本发明系提供一种矽单晶之育成方法，系藉由切克劳斯基法(Czochralski method)，根据ASTM–F121 1979之测定，育成氧浓度为12×1017至18×1017atoms／cm3的矽单晶之方法。育成单晶的环境气体系惰性气体与含氢原子物质的气体之混合气体。控制育成中之矽单晶的温度，以使得从融点至1350℃为止的结晶中心部的轴向温度梯度Gc和从融点至1350℃为止的结晶外周部的轴向温度梯度Ge的比Gc／Ge为1.1至1.4，且使得前述结晶中心部的轴向温度梯度Gc成为3.0至3.5℃／mm。