| 主权项 |
1.一种相移式光罩,包含: 一基板;以及 复数个设置于该基板上之相移图案,其中该相移图 案系由高分子材料构成,且该相移图案在一第一方 向之间距小于该相移图案之宽度。 2.根据请求项1之相移式光罩,其中该高分子材料系 矽酸盐材料。 3.根据请求项2之相移式光罩,其中该矽酸盐材料系 氢矽酸盐。 4.根据请求项2之相移式光罩,其中该矽酸盐材料系 甲基矽酸盐。 5.根据请求项1之相移式光罩,其中该高分子材料系 混成有机矽烷高分子。 6.根据请求项1之相移式光罩,其中该基板系一石英 基板。 7.根据请求项1之相移式光罩,其中该基板包含一石 英基板以及一设置于该基板表面之介面层。 8.根据请求项7之相移式光罩,其中该介面层系一导 电层或一黏着层。 9.根据请求项1之相移式光罩,其中该相移图案系以 阵列方式排列。 10.根据请求项1之相移式光罩,其中该复数个相移 图案构成复数个线状图案。 11.根据请求项10之相移式光罩,其中该线状图案在 一第二方向之间距等于该线状图案之宽度,该第二 方向系垂直于该第一方向。 12.一种相移式光罩之制备方法,包含下列步骤: 形成一高分子层于一基板上; 改变复数个预定区域内之高分子层的分子结构,其 中该预定区域在一第一方向之间距小于该预定区 域之宽度;以及 去除该预定区域以外之高分子层以形成复数个相 移图案。 13.根据请求项12之相移式光罩之制备方法,其中形 成一高分子层于该基板上系利用一旋转涂布制程 。 14.根据请求项12之相移式光罩之制备方法,其中该 高分子层包含矽酸盐材料。 15.根据请求项14之相移式光罩之制备方法,其中该 矽酸盐材料系氢矽酸盐。 16.根据请求项15之相移式光罩之制备方法,其中去 除该预定区域以外之高分子层系利用一硷性溶液 。 17.根据请求项16之相移式光罩之制备方法,其中该 硷性溶液系选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液及 四甲基氢氧化铵溶液构成之群。 18.根据请求项14之相移式光罩之制备方法,其中该 矽酸盐材料系甲基矽酸盐。 19.根据请求项18之相移式光罩之制备方法,其中去 除该预定区域以外之高分子层系利用一醇类溶液 。 20.根据请求项19之相移式光罩之制备方法,其中该 醇类溶液系乙醇。 21.根据请求项12之相移式光罩之制备方法,其中该 高分子层包含混成有机矽烷高分子。 22.根据请求项21之相移式光罩之制备方法,其中去 除该预定区域以外之高分子层系利用乙酸丙酯溶 液。 23.根据请求项12之相移式光罩之制备方法,其中该 复数个预定区域系以阵列方式排列。 24.根据请求项12之相移式光罩之制备方法,其中该 复数个预定区域构成复数个线状图案。 25.根据请求项24之相移式光罩之制备方法,其中该 线状图案在一第二方向之间距等于该预定区域之 宽度,该第二方向系垂直该第一方向。 26.根据请求项12之相移式光罩之制备方法,其中该 基板系一石英基板。 27.根据请求项12之相移式光罩之制备方法,其中该 基板包含一石英基板以及一设置于该基板表面之 介面层。 28.根据请求项27之相移式光罩之制备方法,其中该 介面层系一导电层或一黏着层。 29.根据请求项12之相移式光罩之制备方法,其中改 变复数个预定区域内之高分子层的分子结构系利 用一电子束照射该预定区域。 30.根据请求项12之相移式光罩之制备方法,其中改 变复数个预定区域内之高分子层的分子结构系提 供一能量于该预定区域。 31.一种半导体元件之制备方法,包含下列步骤: 形成一光阻层于一基板上; 使用一相移式光罩曝光该光阻层,该相移式光罩包 含一基板以及复数个设置于基板上之相移图案,该 相移图案系由高分子材料构成,且该相移图案在一 第一方向之间距小于该相移图案之宽度;以及 显影该光阻层。 32.根据请求项31之半导体元件之制备方法,其中该 高分子材料系矽酸盐材料。 33.根据请求项32之半导体元件之制备方法,其中该 矽酸盐材料系氢矽酸盐。 34.根据请求项32之半导体元件之制备方法,其中该 矽酸盐材料系甲基矽酸盐。 35.根据请求项31之半导体元件之制备方法,其中该 高分子材料系混成有机矽烷高分子。 36.根据请求项31之半导体元件之制备方法,其中该 相移图案系以阵列方式排列。 37.根据请求项31之半导体元件之制备方法,其中该 复数个相移图案构成复数个线状图案。 38.根据请求项37之半导体元件之制备方法,其中该 线状图案在一第二方向之间距等于该线状图案之 宽度,该第二方向系垂直该第一方向。 图式简单说明: 图1至图6例示习知技艺制备一无铬膜相移式光单 之方法; 图7至图9例示本发明之无铬膜相移式光罩之制备 方法; 图10系经电子束照射后之高分子层在不同波长之 曝光光束下之反射系数变化图; 图11系经电子束照射后之高分子层在不同波长之 曝光光束下之消光系数变化图; 图12及图13例示本发明之无铬膜相移式光罩应用于 一半导体基板上定义一半导体元件之形貌; 图14(a)例示一曝光光束穿透本发明之无铬膜相移 式光罩照射于一光阻层之强度分布;以及 图14(b)例示一曝光光束穿透习知之无铬膜相移式 光罩照射于一光阻层之强度分布。 |
