| 主权项 |
1.一种半调式光罩,包括: 一透明基底; 一第一图案,具有一第一透射率和一第一厚度,且 配置在该透明基底上;以及 一第二图案,具有一第二透射率和一第二厚度,且 配置在该透明基底上,其中 该第一厚度不同于该第二厚度; 该第二图案较该第一图案长或密集; 该第一透射率高于该第二透射率;以及 该第一图案的相位移角与该第二图案的相位移角 相同。 2.如申请专利范围第1项所述之半调式光罩,其中: 该第一图案系由一半调式材质所构成;以及 该第二图案系由该半调式材质所构成;以及 该第二厚度大于该第一厚度。 3.如申请专利范围第1项所述之半调式光罩,其中: 该第一图案为一单层之半调式材料层;以及 该第二图案为一双层之半调式材料层。 4.如申请专利范围第2项所述之半调式光罩,其中: 该第一图案系具有该第一厚度且相位移180度的该 半调式材质,而该第二图案系具有该第二厚度且相 位移180度的该半调式材质;以及 该第二厚度大于该第一厚度。 5.如申请专利范围第3项所述之半调式光罩,其中: 该第一图案为该单层之半调式材料层,且其相位移 为180度;以及 该第二图案为该双层之半调式材料层,且其相位移 为180度。 6.如申请专利范围第1项所述之半调式光罩,其中该 第一透射率约为27%。 7.如申请专利范围第1项所述之半调式光罩,其中该 第二透射率约为6%。 8.如申请专利范围第2项所述之半调式光罩,其中该 半调式材质包括一矽化钼(MoSi)层。 9.如申请专利范围第2项所述之半调式光罩,其中该 半调式材质包括一氮化矽钼(MoSiN)层。 10.如申请专利范围第3项所述之半调式光罩,其中 该单层半调式材质包括一矽化钼(MoSi)层。 11.如申请专利范围第3项所述之半调式光罩,其中 该单层半调式材质包括一氮化矽钼(MoSiN)层。 12.如申请专利范围第3项所述之半调式光罩,其中 该双层半调式材质包括一矽化钼-氧化铷(MoSi-RuO) 双层。 13.如申请专利范围第3项所述之半调式光罩,其中 该双层半调式材质包括一氮化矽钼-氧化铷(MOSiN- RuO)双层。 14.一种半调式光罩包括具有第一透射率之一第一 图案以及具有第二透射率之一第二图案,该第二图 案较该第一图案长或密集,且该第一透射率高于该 第二透射率以及该第二图案比该第一图案厚,其中 该第一图案的相位移角与该第二图案的相位移角 相同。 15.如申请专利范围第14项所述之半调式光罩,其中: 该第一图案为一单层之半调式材料层;以及 该第二图案为一双层之半调式材料层。 16.如申请专利范围第14项所述之半调式光罩,其中: 该第一图案系具有一第一厚度且相置移180度的该 半调式材质; 该第二图案系具有一第二厚度且相位移180度的该 半调式材质;以及 该第二厚度大于该第一厚度。 17.如申请专利范围第15项所述之半调式光罩,其中: 该第一图案为该单层之半调式材料层,且其相位移 为180度;以及 该第二图案为该双层之半调式材料层,且其相位移 为180度。 18.如申请专利范围第14项所述之半调式光罩,其中 该第一透射率约为27%。 19.如申请专利范围第14项所述之半调式光罩,其中 该第二透射率约为6%。 图式简单说明: 第1图是绘示第一光罩与第二光罩之上视图,其中 绘示出之图案显现出孤立区至密集区以及边缘区 至密集区之线宽偏差。 第2图是绘示依照本发明之第一实施例中,具有对 应于第1图图案之图案的光罩之剖面示意图。 第3图是绘示依照本发明之第二实施例中,具有对 应于第1图图案之图案的光罩之剖面示意图。 第4图是绘示依照本发明之第三实施例中,具有对 应于第1图图案之图案的光罩之剖面示意图。 第5图是绘示依照本发明之第四实施例中,具有对 应于第1图图案之图案的光罩之剖面示意图。 第6A图至第6D图是绘示利用单透射率光罩所产生的 孤立区至密集区之线宽偏差,相对于利用本发明之 多阶透射率半调式相位移光罩所产生的孤立区至 密集区之线宽偏差的比较图。 第7A图与第7B图是绘示使用单一透射率光罩所形成 之临界尺寸与使用多阶透射率光罩所形成之临界 尺寸的比较图。 第8A图是绘示边缘线之临界尺寸以及不同透射率 之多阶透射率半调式相位移光罩的边缘区至密集 区之线宽变化。 第8B图系绘示边缘线光罩的透射率(密集区的光罩 维持6%透射率)与边缘光阻线宽的关系。 第8C图系绘示边缘线光罩的透射率(密集区的光罩 维持6%透射率)与边缘光阻线宽和目标线宽的差异 。 第9A图与第9B图是分别绘示用单一透射率之光罩与 多阶透射率半调式相位移光罩下所形成的临界尺 寸之剖面图。 第10A图至第10C图是绘示利用单透射率光罩所产生 的共有窗,相对于利用本发明之多阶透射率半调式 相位移光罩所产生的共有窗之比较图。 第11A图与第11B图是绘示在相邻的线间变化的透射 率对于线末端短缩现象的作用。 |
