非对称式汲源极通道结构异质场效体

摘要

本发明「非对称式汲源极通道结构异质场效体」系藉由光蚀刻雕像技术(photo lithography)分别定义汲极与源极区域，经沉积电极板合金与汲／源极间不同之粹火(annealing)时间控制，于异质场效电晶体中形成一具有非对称式汲源极之通道结构。尤其，本发明结合异质场效体具有较高速与较低速复合式通道结构，可提供单一电晶体结构能同时展现线性放大与负微分电阻等多元特性，可直接应用于混模高速积体电路及微波功率积体电路等产业界技术。