发明名称 小型红外线光谱仪及应用于其之元件之组合及制造之系统与方法
摘要 一种可操作于波长范围为4.5微米或4.5微米以上的小型光谱仪,其包括一入射狭缝、一准直镜、一光栅、一聚焦镜以及一第一聚焦面。通过此狭缝的部分辐射会沿着一光径行进,在此光径中,此通过狭缝的部分辐射会被准直镜反射到光栅上,接着此光栅反射部分辐射到聚焦镜,而后该聚焦镜便会反射与聚焦部分辐射在第一聚焦面及二维阵列侦测器之上。二维阵列侦测器中每一行均对应到波长范围为4.5微米或4.5微米以上的某个波长,此二维阵列包括复数行,其全部会对应到横跨波长范围为4.5微米或4.5微米以上的复数个波长,且在此二维阵列侦测器上每一对相邻的行均对应到波长差相等的两波长。此入射狭缝、准直镜、光栅、聚焦镜以及第一聚焦面系置放于一大小等于或小于192立方英寸的体积内。
申请公布号 TWI269869 申请公布日期 2007.01.01
申请号 TW094112545 申请日期 2005.04.20
申请人 曹美为 发明人 曹美为
分类号 G01J3/28(2006.01) 主分类号 G01J3/28(2006.01)
代理机构 代理人 郭雨岚 台北市大安区仁爱路3段136号15楼;林发立 台北市大安区仁爱路3段136号15楼
主权项 1.一种小型光谱仪,其可操作于波长范围为4.5微米 至6.0微米,包含: (A)入射狭缝、准直镜、光栅及聚焦镜;及 (B)二维阵列侦测器,其中通过该狭缝的部分辐射系 沿着光径行进,在该光径中,该通过狭缝的部分辐 射系被该准直镜反射到该光栅上,接着该光栅反射 部分辐射到该聚焦镜,而后该聚焦镜反射与聚焦部 分辐射在第一聚焦面以及到该二维阵列侦测器; 其中该二维阵列侦测器上每一列均对应到波长范 围为4.5微米至6.0微米的某个波长,该二维阵列包括 复数行,其全部会对应到横跨波长范围为4.5微米至 6.0微米的复数个波长,且其中在该二维阵列侦测器 上每一对相邻的行均对应到波长差相等的两波长; 以及 其中该入射狭缝、该准直镜、该光栅、该聚焦镜 以及该第一聚焦面系置放于一体积等于或小于192 立方英寸的尺寸内。 2.如申请专利范围第1项所述之光谱仪,其中该二维 阵列侦测器系位于该第一聚焦面上。 3.如申请专利范围第1项所述之光谱仪,其中该二维 阵列侦测器系位于不同于该第一聚焦面的第二聚 焦面上。 4.如申请专利范围第1项所述之光谱仪,其中所有该 4.5微米至6.0微米的波长范围系介于7.5至13.5微米之 间。 5.一种以至少12.5微米之位置精度与0.075度之角度 精度去定位与耦合一光学元件于一基板上的方法, 包含: (a)以工具机将原料制成光学元件,该原料系由下列 群组至少其中之一选出:铝、铝合金、不锈钢、镍 、铜以及铍; (b)将该光学元件贴在一基座上,该基座系具有一定 义第一平面的平坦底面,其中一柱状栓系以垂直该 第一平面而伸出该基座的平坦底面,以及其中至少 第一与第二螺栓配置于第一与第二柱状孔内,该等 柱状孔系延伸穿过该基座的该底面,此该基座的该 第一与第二柱状孔系被排列垂直于该第一平面以 及其内径与该第一及第二螺栓的外径相对应; (c)提供一具有定义第二平面的平坦上表面的基板, 其中第一柱状孔系垂直于该第二平面而由该基板 的该上表面延伸进入该基板,以及其中至少第二与 第三螺孔系垂直于该第二平面而由该基板的该上 表面延伸进入该基板; (d)藉由同步对位该金属栓与该基板的该第一孔、 该基座的该第一孔与该基板的该第二螺孔、以及 该基座的该第二孔与该基板的该第三螺孔,将该基 座放置于该基板上; (e)在该基座与该基板对位的同时,该柱状栓系插入 该基板的该第一柱状孔直到该基座的该底面触碰 到该基板的该上表面,其中,随着前述插入,该柱状 栓与该基板的该第一孔间的摩擦力将可抑制该基 座以垂直于该第一与第二平面的轴线旋转,以及该 基板的该第一孔与该柱状栓间的紧密亦限制该基 座在该基板上的横向位移;以及 (f)在步骤(e)后,分别旋入该第一与第二螺栓于该基 板的该第二与第三螺孔,藉此得以该精度来耦合该 基座与该基板。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该基座的 该第一与第二柱状孔系包括:具有第一锥形端,以 及该第一与该第二螺栓系具有相对应该第一锥形 端的第二锥形头,藉此该第一与第二螺栓定位于该 基座的该第一与第二柱状孔。 7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中步骤(b)进 一步包含将该柱状栓压入该基座的另一柱状孔中 。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中在该压入 步骤前,该柱状栓的外径系大于该基座上该另一柱 状孔的内径。 9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该步骤(e) 的该插入步骤系包含将该柱状栓压入该基板的该 第一柱状孔,以及在步骤(e)的该压入步骤前,该第 一柱状栓的外径系大于该基板上该第一柱状孔的 内径。 10.一种以至少12.5微米之位置精度与0.075度之角度 精度去定位与耦合一光学元件于一基座上的方法, 包含: (a)以工具机将原料制成学元件,该原料系由下列群 组至少其中之一选出:铝、铝合金、不锈钢、镍、 铜以及铍,其中该机械加工制程系包括:在原料上 形成至少第一、第二及第三柱状孔,以及原料之该 第二与第三柱状孔系具有螺纹; (b)提供一柱状栓,该柱状栓放置于该由机械加工制 成的光学元件的该第一柱状孔内,其中该柱状栓系 以垂直该光学元件的一平坦背面而伸出该平坦背 面; (c)提供一基座,该基座系具有一平坦前面以及至少 第一、第二与第三柱状孔,该等柱状孔系垂直于该 平坦前面而由该平坦前面延伸进入该基座,其中该 基座的该复数个柱状孔中至少第一与第二柱状孔 系完全穿过该基座的厚度,该第一与第二螺栓系分 别配置于该基座的该第一与第二柱状孔内,该第一 与第二螺栓之外径系与该基座的该第一与第二柱 状孔的内径相对应; (d)于步骤(b)后,藉由同步对位该从该光学元件伸出 的金属栓与该基座的该第三孔、该光学元件的该 第二螺孔与该基座的该第一孔、以及该光学元件 的该第三螺孔与该基座的该第二孔,将该基座放置 于该光学元件上; (e)在该基座与该光学元件对位的同时,该柱状栓系 压入该基座的该第三柱状孔直到该光学元件的该 背面触碰到该基座的该前面,其中,随着前述插入, 该柱状栓与该基座的该第三孔间的摩擦力将可抑 制该基座以垂直于该前面与该背面的轴线旋转,以 及该基座的该第三柱状孔与该柱状栓间的紧密亦 限制该基座在该光学元件上的横向位移;以及 (f)在步骤(e)后,分别旋入该第一与第二螺栓于该光 学元件的该第二与第三螺孔,藉此得以该精度来耦 合该基座与该光学元件。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该步骤( a)中更包含在该原料上以机械加工制成第四有螺 纹的柱状孔,该基座更包括第四柱状孔,该第四柱 状孔系垂直于该平坦前面而由该平坦前面延伸进 入该基座,并且完全通过该基座的厚度,其中第三 螺栓系置入该基座的该第四柱状孔,该第三螺栓之 外径系与在该基座的第四柱状孔的内径相对应;步 骤(f)中进一步包含有旋入该第四螺栓于光学元件 的该第四螺孔。 12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中于步骤( e)的该压入步骤前,该柱状栓的外径系大于该基座 上该第三柱状孔的内径。 13.如申请专利范围第10项所述之方法,其中步骤(b) 更包含将该柱状栓压入该机械加工制成光学元件 的该第一柱状孔中。 14.如申请专利范围第10项所述之方法,其中于步骤( b)的该压入步骤前,该柱状栓的外径系大于该机械 加工制成光学元件的该第一柱状孔的内径。 15.一种用以形成整块金属光学元件的方法,系包含 : 以工具机将原料制成一整块的元件,该元件系具有 第一面以及与该第一面相对的第二面,其中该整块 元件的该第一面系包含一光学元件,该光学元件系 由下列群组选出:聚焦镜以及准直镜,其中该机械 加工制程系被用来形成第一柱状孔,其中该第一柱 状孔系用以容纳一柱状定位栓,该柱状定位栓系以 垂直于该第二面所定义的一平面而伸出该第二面, 该第二柱状孔系用以容纳第一螺栓,该第一螺栓系 以垂直于该第二面所定义的该平面而伸出该第二 面,该第三柱状孔系用以容纳第二螺栓,该第二螺 栓系以垂直于该第二面所定义的该平面而伸出该 第二面,以及其中该原料系由下列群组至少其中之 一选出:铝、铝合金、不锈钢、镍、铜以及铍。 16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中包含使 用单点钻石车床加工去形成该整块金属光学元件 的该第一与第二面。 17.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该机械 加工制程进一步被用来形成第四柱状孔,该第四柱 状孔系用以容纳第三螺栓,该第三螺栓系以垂直于 该第二面定义的该平面而延伸出该第二面。 18.一种用以形成光栅元件的方法,包含: 以工具机将原料形成此光栅元件的第一面、第一 柱状孔,其中该第一柱状孔系垂直于该第一面由该 第一面延伸进入该原料,该第二柱状孔系用以容纳 第一螺栓,该第一螺栓系垂直于该第一面由该第一 面延伸进入该原料,该第三柱状孔系用以容纳第二 螺栓,该第二螺栓系垂直于该第一面而由该第一面 延伸进入该原料; 将一柱状定位栓插入该第一柱状孔,其中于插入后 ,该柱状定位栓系以垂直于该第一面而伸出该原料 ; 以环氧基树脂复制法制造该光栅元件的第二面,其 中该第二面系由黏合于该机械加工制成的原料上 的树脂层所形成,以及该第二面包括一光栅;以及 其中该原料系由下列群组至少其中之一选出:铝、 铝合金、不锈钢、镍、铜以及铍。 19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该机械 加工制程系包含使用单点钻石车床加工去形成该 光栅元件的该第二面。 20.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该插入 步骤更包括将该柱状定位栓压入该第一柱状孔。 21.如申请专利范围第19项所述之方法,其中在压入 步骤前,该柱状定位栓的外径系大于该第一柱状孔 的内径。 22.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该光栅 元件的该第一面系垂直于该光栅元件的该第二面 。 23.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该光栅 元件的该第一面与该光栅元件的该第二面平行。 24.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该光栅 元件的该第一面与该光栅元件的该第二面间的夹 角系介于零度到九十度之间。 图式简单说明: 第一图系为本发明之红外线光谱仪之立体图。 第二图系为第一图中所示之红外线光谱仪之另一 视图。 第三图系显示如第一图与第二图中所示之光谱仪 的红外线辐射的光径,以及取样与聚集光学的示意 图。 第四A图系显示本发明之在平面侦测器上像素的行 列间的关系以及6.0微米波长涵盖范围。 第四B图系显示本发明之在平面侦测器上像素的行 与列间的关系以及4.5微米波长涵盖范围。 第五A图系显示本发明之用以装设光谱仪、光学、 侦测器与电子元件的积体、小型封装之实施例。 第五B图系显示本发明之用以装设光谱仪、光学、 侦测器与电子元件的积体、小型封装之另一实施 例。 第五C图系显示本发明之用以装设光谱仪、光学、 侦测器与电子元件的积体、小型封装之又一实施 例。 第五D图系显示依据本发明之用以装设光谱仪、光 学、侦测器与电子元件的积体小型封装之再一实 施例。 第六图与第七图,系显示本发明之用以定位与耦合 一光学元件至一基板的系统。 第八图至第十一图,系显示本发明之用以定位与耦 合一光学元件至一基座的系统。 第十二图系显示一具有直角面的金属光栅元件,其 可架设于一基板以及作为光谱仪的元件。 第十三图系显示一具有平行面的光栅元件,其可定 位于使用如第八图至第十一图中所示的定位系统 的基座上。
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