发明名称 利用导电黏稠材料配合聚焦离子束形成导电桥以进行修改制作电路之方法
摘要 本发明系有关于一种利用导电黏稠材料配合聚焦离子束形成导电桥以进行修改制作电路之方法,其主要系于基材〔例如:积体电路〕上选择欲相连接的数个目标电极,运用聚焦离子束〔Focused ion beam;FIB〕或雷射将目标电极上各种半导体制程使用之材料〔如:导电层、半导体层、绝缘层……等〕去除,形成接触孔洞,露出目标电极,再利用聚焦离子束或雷射伴随化学气相沉积〔deposition〕之方式于接触孔洞中形成导电桥墩〔pier〕,再放置导电黏稠材料于各导电桥墩之上,以能于各导电桥墩之间利用该导电黏稠材料连接导电桥面〔floor of a bridge;如:以导电黏稠材料直接形成该导电桥面、或金属线、或电子元件……等任何导电物体〕,即可获得低电阻的导电桥面,亦或可以增加电子元件于既有电路中,以进行修改制作电路之方法。
申请公布号 TWI270172 申请公布日期 2007.01.01
申请号 TW094128844 申请日期 2005.08.24
申请人 宜特科技股份有限公司 发明人 余维斌;廖永顺;廖兴盛
分类号 H01L21/768(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 陈金铃 台南市安平区建平五街122号
主权项 1.一种利用导电黏稠材料配合聚焦离子束形成导 电桥以进行修改制作电路之方法,其包括: (a)提供一基材,该基材内包含有复数个电极; (b)选取欲连接之数电极; (c)于该基材上藉由聚焦离子束对应所选取之电极 挖开半导体制程各层材料形成接触孔洞以露出该 电极; (d)藉由该聚焦离子束配合喷嘴所喷出之各种气体 分子以沉积各种材质填入该接触孔洞而形成导电 桥墩; 其特征在于: (e)放置导电黏稠材料于各导电桥墩之上,以利用该 导电黏稠材料于导电桥墩之间连接导电桥面[floor of a bridge],即形成导通之导电桥。 2.如申请专利范围第1项所述之利用导电黏稠材料 配合聚焦离子束形成导电桥以进行修改制作电路 之方法,其中该基材系为积体电路[IC]。 3.如申请专利范围第1项所述之利用导电黏稠材料 配合聚焦离子束形成导电桥以进行修改制作电路 之方法,其中该聚焦离子束系为镓离子束[gallium]。 4.如申请专利范围第1项所述之利用导电黏稠材料 配合聚焦离子束形成导电桥以进行修改制作电路 之方法,其中该喷嘴所喷出之气体分子为含铂[Pt] 、钨[W]导电材质之气体。 5.如申请专利范围第1项所述之利用导电黏稠材料 配合聚焦离子束形成导电桥以进行修改制作电路 之方法,其中可先行于基材接触孔洞内缘藉由该聚 焦离子束配合喷嘴所喷出之绝缘材质气体分子沉 积绝缘部,再于绝缘部内沉积导电材质形成导电桥 墩。 6.如申请专利范围第1项所述之利用导电黏稠材料 配合聚焦离子束形成导电桥以进行修改制作电路 之方法,其中该导电黏稠材料系为导电胶。 7.如申请专利范围第1项所述之利用导电黏稠材料 配合聚焦离子束形成导电桥以进行修改制作电路 之方法,其中该导电桥面为导电黏稠材料。 8.如申请专利范围第1项所述之利用导电黏稠材料 配合聚焦离子束形成导电桥以进行修改制作电路 之方法,其中该导电桥面为金属线。 9.如申请专利范围第1项所述之利用导电黏稠材料 配合聚焦离子束形成导电桥以进行修改制作电路 之方法,其中该导电桥面为电子元件。 10.如申请专利范围第1项所述之利用导电黏稠材料 配合聚焦离子束形成导电桥以进行修改制作电路 之方法,其中该导电桥面为金属线连接电子元件。 11.如申请专利范围第1项所述之利用导电黏稠材料 配合聚焦离子束形成导电桥以进行修改制作电路 之方法,其中该导电桥墩一侧另行延伸有导电桥墩 延伸段,该导电桥墩延伸段与导电桥墩为相同导电 材质以供导电黏稠材料连接导电桥面[floor of a bridge]。 12.如申请专利范围第1项所述之利用导电黏稠材料 配合聚焦离子束形成导电桥以进行修改制作电路 之方法,其中该导电桥面下放置有绝缘材料。 13.如申请专利范围第5项所述之利用导电黏稠材料 配合聚焦离子束形成导电桥以进行修改制作电路 之方法,其中该喷嘴所喷出之绝缘材质气体分子为 二氧化矽[SiO2]气体,以能沉积绝缘部。 14.如申请专利范围第7项所述之利用导电黏稠材料 配合聚焦离子束形成导电桥以进行修改制作电路 之方法,其中该导电桥面之导电黏稠材料系为导电 胶。 15.如申请专利范围第12项所述之利用导电黏稠材 料配合聚焦离子束形成导电桥以进行修改制作电 路之方法,其中该导电桥面下放置之绝缘材料为绝 缘胶。 16.如申请专利范围第12项所述之利用导电黏稠材 料配合聚焦离子束形成导电桥以进行修改制作电 路之方法,其中该导电桥面下放置之绝缘材料为二 氧化矽[SiO2]。 图式简单说明: 第一图:本发明利用聚焦离子束在基材上挖设接触 孔洞之剖面示意图 第二图:本发明以喷嘴所喷出之气体分子配合聚焦 离子束形成导电桥墩之剖面示意图 第三图:本发明于导电桥墩放置导电黏稠材料之剖 面示意图 第四图:本发明利用导电黏稠材料于导电桥墩间连 接导电桥面之剖面示意图[导电黏稠材料] 第五图:本发明利用导电黏稠材料于导电桥墩间连 接导电桥面之剖面示意图[金属线] 第六图:本发明利用导电黏稠材料于导电桥墩间连 接导电桥面之剖面示意图[电子元件] 第七图:本发明利用导电黏稠材料于导电桥墩间连 接导电桥面之剖面示意图[金属线连接电子元件] 第八图:本发明利用导电黏稠材料于导电桥墩延伸 段间连接导电桥面之剖面示意图[导电黏稠材料] 第九图:本发明利用导电黏稠材料于导电桥墩延伸 段间连接导电桥面之剖面示意图[金属线] 第十图:本发明利用导电黏稠材料于导电桥墩延伸 段间连接导电桥面之剖面示意图[电子元件] 第十一图:本发明于导电桥面下放置绝缘材料之剖 面示意图[导电黏稠材料] 第十二图:本发明于导电桥面下放置绝缘材料之剖 面示意图[金属线] 第十三图:本发明于导电桥面下放置绝缘材料之剖 面示意图[电子元件] 第十四图:习用利用聚焦离子束在基材上挖设接触 孔洞之剖面示意图 第十五图:习用以喷嘴所喷出之气体分子配合聚焦 离子束形成导电桥之剖面示意图[一] 第十六图:习用以喷嘴所喷出之气体分子配合聚焦 离子束形成导电桥之剖面示意图[二] 第十七图:习用以喷嘴所喷出之气体分子配合聚焦 离子束形成导电桥之剖面示意图[三]
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