一种防止重工光阻倒塌之方法

摘要

一种防止重工光阻倒塌之方法。在去除晶片上不满意的光阻之后及在再次进行微影步骤之前，先将晶片置放在通有一氧化二氮(N2O)气体的化学气相沉积室内一段预定时间，以在晶片表面上形成一层富含氮的原始氧化层。接着，形成一重工光阻于该富含氮的原始气化层上。该富含氮的原始氧化层系使晶片表面之湿度及反射率回复至光阻重工制程之前的预定范围。因此，可改善重工光阻倒塌的情形及提升制程良率。

主权项

1.一种防止重工光阻倒塌之方法,适用于一半导体 基材,该半导体基材上形成有一第一光阻图案,该 方法至少包括下列步骤: 去除该第一光阻图案; 将该半导体基材曝露于一氧化二氮气体中一预定 时间,以在该基材的表面形成一原始氧化层;以及 形成一第二光阻图案。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中去除该第一光 阻图案之步骤包括使用氧电浆去光阻。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中去除该第一光 阻图案之步骤包括使用湿式去光阻。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中去除该第一光 阻图案之步骤包括使用氧电浆去光阻及湿式去光 阻。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中将该半导体基 材曝露于一氧化二氮气体中之该预定时间约为5~15 秒钟。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中将该半导体基 材曝露于一氧化二氮气体中之该预定时间约为10 秒钟。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中该一氧化二氮 气体的流量约为50~100sccm。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中该一氧化二氮 气体的处理温度约为300~500℃。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中该一氧化二氮 气体的处理温度约为400℃。 10.一种光阻重工方法,该方法至少包括下列步骤: 提供一含有一多晶矽层之半导体基材; 形成一第一光阻图案于该多晶矽层上; 去除该第一光阻图案; 将该半导体基材曝露于一氧化二氮气体中一预定 时间,以在该基材的表面形成一原始氧化层;以及 形成一第二光阻图案于该原始氧化层上。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中该多晶矽层 上更包括一抗反射涂盖层(Anti-Reflection Coating)。 12.如申请专利范围第10项之方法,其中去除该第一 光阻图案之步骤包括使用氧电浆去光阻。 13.如申请专利范围第10项之方法,其中去除该第一 光阻图案之步骤包括使用湿式去光阻。 14.如申请专利范围第10项之方法,其中去除该第一 光阻图案之步骤包括使用氧电浆去光阻及湿式去 光阻。 15.如申请专利范围第10项之方法,其中将该半导体 基材曝露于一氧化二氮气体中之该预定时间约为5 ~10秒钟。 16.如申请专利范围第10项之方法,其中将该半导体 基材曝露于一氧化二氮气体中之该预定时间约为 10秒钟。 17.如申请专利范围第10项之方法,其中该一氧化二 氮气体的流量约为50~100sccm。 18.如申请专利范围第10项之方法,其中该一氧化二 氮气体的处理温度约为300~500℃。 19.如申请专利范围第10项之方法,其中该一氧化二 氮气体的处理温度约为400℃。 图式简单说明: 第1图所示为一形成电晶体之闸极的制程剖面示意 图; 第2图所示为依据本发明之一实施例的光阻重工制 程之流程图;以及 第3图所示为依据本发明之另二实施例的光阻重工 制程之流程图。