| 主权项 |
1.一种有机电激发光显示器,包含由下至上之: 一基板; 呈阵列状分布之绝缘区,且每一绝缘区与基板具有 一预定之夹角; 位在该基板及该绝缘区之上且具有井状侧面之阴 极层; 及位在该阴极层上之OLED发光多层结构及阳极层。 2.如申请专利范围第1项之有机电激发光显示器,其 中该基板为一玻璃基板。 3.如申请专利范围第1项之有机电激发光显示器,其 中该绝缘区系为氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧 化矽(SiOxNy)等无机膜材质。 4.如申请专利范围第1项之有机电激发光显示器,其 中该阴极层系使用高导电系数与高反射率之材质 。 5.如申请专利范围第4项之有机电激发光显示器,其 中该阴极层为金、银、铝、铜与铬等材质或多层 复合高导电材料。 6.如申请专利范围第1项之有机电激发光显示器,其 中该绝缘层系氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化 矽(SiOxNy)等高透光性材质。 7.如申请专利范围第1项之有机电激发光显示器,其 中该绝缘层厚度可为0.5m~5m。 8.如申请专利范围第1项之有机电激发光显示器,其 中该阳极层可以为ITO、IZO或IWO等透明电极薄膜。 9.如申请专利范围第1项之有机电激发光显示器,其 中该基板可以为任何平坦的透光/不透光、软/硬 基板。 10.如申请专利范围第1项之有机电激发光显示器, 其中该预定之夹角为90度夹角。 11.如申请专利范围第1项之有机电激发光显示器, 其中更包含于该阳极层之上之一雾面偏光膜。 12.一种有机电激发光显示器制作方法,包含下列步 骤: 制备一基板; 在基板上以微影制程或微影蚀刻制程制作多数之 绝缘区,且每一绝缘区与基板具有一预定之夹角; 在该基板及该绝缘区上形成一阴极层; 在该阴极层上以微影制程或微影蚀刻制程制作绝 缘层; 在该阴极层及该绝缘层上成长OLED发光多层结构; 以及 在该OLED发光多层结构上形成阳极层。 13.如申请专利范围第12之有机电激发光显示器制 作方法,其中该制作多数之绝缘区步骤系包含 先涂布聚亚醯胺(Polyimide)等材质,再利用微影制程 制作绝缘区。 14.如申请专利范围第12项之有机电激发光显示器 制作方法,其中该制作多数之绝缘区步骤系包含 以PVD、CVD方式成长氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮 氧化矽(SiOxNy)等无机膜;及 利用微影蚀刻制程制作绝缘区。 15.如申请专利范围第12项之有机电激发光显示器 制作方法,其中该制作阴极层步骤包含 先用溅镀、蒸镀、电子束或电镀等制程成长金属 薄膜;及 利用微影蚀刻制程制作金属阴极层图案。 16.如申请专利范围第12项之有机电激发光显示器 制作方法,其中该制作绝缘层步骤包含 先涂布聚亚醯胺(Polyimide)等材质,及 利用微影制程制作绝缘层。 17.如申请专利范围第12项之有机电激发光显示器 制作方法,其中该制作绝缘层步骤包含 利用PVD、CVD等方法成长如氧化矽(SiOx)、氮化矽( SiNx)、氧化矽(SiOxNy)等高透光性材质,厚度约为0.5~5 m;及 利用微影蚀刻制程,制作绝缘层。 18.如申请专利范围第12项之有机电激发光显示器 制作方法,其中该制作OLED发光多层结构步骤系用 蒸镀方式成长OLED发光多层结构。 19.如申请专利范围第12项之有机电激发光显示器 制作方法,其中该制作阳极层步骤系用溅镀、蒸镀 及电子束等方式成长ITO、IZO或IWO等透明电极薄膜 。 20.如申请专利范围第12项之有机电激发光显示器 制作方法,其中该绝缘区系做成直角结构,以形成 垂直井状之金属阴极层。 21.如申请专利范围第12项之有机电激发光显示器 制作方法,其中更包含于该阳极层上加上一雾面偏 光膜。 22.一种有机电激发光显示器,包含由下至上之: 一基板; 位在该基板上且呈阵列状分布之一绝缘区; 位在该绝缘区上之一反射金属层; 位在该反射金属层上且被该绝缘区隔开之一阳极 层; 位在该阳极层上之一绝缘层; 位在该阳极层及该绝缘层上之一OLED发光多层结构 ;及 位于该OLED发光多层结构上之一透明阴极。 23.如申请专利范围第22项之有机电激发光显示器, 其中该反射金属层为包含银之高反射率金属材料 。 24.如申请专利范围第22项之有机电激发光显示器, 其中该透明阴极层为包含银或铝等金属之高穿透 性金属材料。 25.如申请专利范围第22项之有机电激发光显示器, 其中更包含于该透明阴极上之一雾面偏光膜。 26.一种有机电激发光显示器制作方法,包含下列步 骤: 制备一基板; 于该基板上以微影制程或微影蚀刻制程形成具有 预定图案之绝缘区; 形成一反射金属层于该绝缘区之上; 形成一透明阳极层于该反射金属层之上; 以微影制程或微影蚀刻制程形成一绝缘层于该透 明阳极之上; 成长一OLED发光多层结构于该透明阳极及该绝缘层 之上;及 形成一透明阴极层于该OLED发光多层结构之上。 27.如申请专利范围第26项之有机电激发光显示器 制作方法,其中该反射金属层步骤系利用溅镀、蒸 镀、电子束或电镀等制程成长金属薄膜,再利用微 影蚀刻制程,制作反射金属层图案。 28.如申请专利范围第26项之有机电激发光显示器 制作方法,其中该反射金属层为包含银之高反射率 金属材料。 29.如申请专利范围第26项之有机电激发光显示器 制作方法,其中该透明阴极制作步骤系利用溅镀、 蒸镀、电子束或电镀等制程成长可透光金属薄膜, 制作该透明阴极图案。 30.申请专利范围第26项之有机电激发光显示器制 作方法,其中该透明阴极材质可为铝、银或其他高 穿透性金属材质。 31.如申请专利范围第26项之有机电激发光显示器 制作方法,其中更包含: 于该阴极上形成一雾面偏光膜。 图式简单说明: 第一图所示者为一习知底部发光(Bottom emission)有 机发光二极体元件之侧视图。 第二A图所示者为另一习知有机发光二极体元件之 上视图。 第二B图所示者为沿着第二A图线A-A'之侧视图。 第三A图所示者为另一习知有机发光二极体元件之 上视图。 第三B图所示者为沿着第三A图线A-A'之侧视图。 第四A图为依据本发明一较佳具体实例之有机电激 发光显示器之上视图。 第四B图所示者为沿着第四A图线A-A'之侧视图。 第五A至第五F图为依据本发明之一较佳具体实例 之有机电激发光部分制作方法。 第六图为依据本发明另一较佳具体实例之有机电 激发光显示器之侧视图。 第七图所示为依据本发明另一较佳具体实例之具 有顶部发光结构之有机电激发光显示器。 第八A图至第八G图为依据本发明另一较佳具体实 例制作有机电激发光显示器之流程图。 第九图所示者为另一习知有机发光二极体元件之 侧视图。 |
