| 主权项 |
1.一种氧化性气体或蒸汽之浓度之监控设备,此设 备包含: 第一热电偶接点; 化学物质,连接至第一热电偶接点,化学物质系与 氧化性气体或蒸汽反应以产生热;以及 第二热电偶接点,串联连接至第一热电偶接点,藉 以在化学物质曝露至氧化性气体或蒸汽之时产生 横越过第一与第二热电偶接点之净电压,净电压系 对应至氧化性气体或蒸汽之浓度。 2.如申请专利范围第1项所述之监控设备,其中第二 热电偶接点实质上系类似于第一热电偶接点。 3.如申请专利范围第2项所述之监控设备,其中当化 学物质并未曝露至氧化性气体或蒸汽时,横越过第 一与第二热电偶接点之净电压系为零。 4.如申请专利范围第1项所述之监控设备,其中氧化 性气体或蒸汽包含过氧化氢。 5.如申请专利范围第1项所述之监控设备,其中化学 物质系为一种与过氧化氢产生化学反应之材料。 6.如申请专利范围第1项所述之监控设备,其中化学 物质系为一种催化分解过氧化氢之材料。 7.如申请专利范围第1项所述之监控设备,其中化学 物质系为一种藉由过氧化氢而氧化之材料。 8.如申请专利范围第1项所述之监控设备,其中化学 物质包含羟基功能团(hydroxyl functional groups)。 9.如申请专利范围第1项所述之监控设备,其中此设 备更包含使化学物质连接至第一热电偶接点之载 体。 10.如申请专利范围第1项所述之监控设备,其中此 设备更包含在化学物质与第一热电偶接点之间的 热导体。 11.如申请专利范围第1项所述之监控设备,其中此 设备更包含连接器,用以连接与切断连接至化学物 质之设备之第一部分与设备之余留部分。 12.如申请专利范围第1项所述之监控设备,其中此 设备系可配置于一个或更多个位置,藉以使净电压 成为位于此位置之氧化性气体或蒸汽之浓度之函 数。 13.如申请专利范围第1项所述之监控设备,其中第 二热电偶接点与第一热电偶接点置在扩散限制区 中。 14.如申请专利范围第1项所述之监控设备,其中此 设备更包含一具有第一热电偶接点与第二热电偶 接点之积体电路晶片。 15.如申请专利范围第1项所述之监控设备,其中第 一热电偶接点包含第一导体与连接至第一导体之 第二导体,第二导体系与第一导体不同,而第二热 电偶接点包含连接至第三导体之第二导体。 16.如申请专利范围第15项所述之监控设备,其中第 三导体系由与第一导体相同的材料所构成。 17.如申请专利范围第15项所述之监控设备,其中第 一导体、第二导体、以及第三导体之至少一个系 包含导电膜。 18.一种氧化性气体或蒸汽之浓度之监控方法,此方 法包含以下步骤: 提供串联连接在一起之第一热电偶接点与第二热 电偶接点,第一热电偶接点系连接至经历与待监控 之氧化性气体或蒸汽产生放热反应之化学物质; 使化学物质曝露至氧化性气体或蒸汽,藉以产生横 越过第一与第二热电偶接点之净电压,藉此净电压 成为氧化性气体或蒸汽之浓度的函数; 测量横越过第一与第二热电偶接点之净电压以作 为氧化性气体或蒸汽之浓度之标示。 19.如申请专利范围第18项所述之监控方法,其中当 化学物质并未曝露于氧化性气体或蒸汽时,横越过 第一与第二热电偶接点之净电压系为零。 20.如申请专利范围第18项所述之监控方法,其中氧 化性气体或蒸汽包含过氧化氢。 21.如申请专利范围第18项所述之监控方法,其中化 学物质系为一种与过氧化氢产生化学反应之材料 。 22.如申请专利范围第18项所述之监控方法,其中化 学物质系为一种催化分解过氧化氢之材料。 23.如申请专利范围第18项所述之监控方法,其中化 学物质系为一种藉由过氧化氢而氧化之材料。 24.如申请专利范围第18项所述之监控方法,其中化 学物质包含羟基功能团。 25.如申请专利范围第18项所述之监控方法,其中化 学物质系藉由载体而连接至第一热电偶接点。 26.如申请专利范围第25项所述之监控方法,其中载 体包含透气袋或具有至少一开孔之不透气腔室。 27.如申请专利范围第18项所述之监控方法,更包含 将此设备移动至一个或更多个位置之步骤,藉以使 净电压成为位于此位置之氧化性气体或蒸汽之浓 度之函数。 28.一种由使用者操作之消毒系统,其中消毒系统包 含: 容室; 门,位于容室中; 氧化性气体或蒸汽源,与容室流体连接; 化学浓度测量系统,包含如申请专利范围第1项所 述之至少一设备;以及 控制系统,接收来自化学浓度测量系统之输入以产 生该氧化性气体或蒸汽之期望浓度。 29.如申请专利范围第28项所述之消毒系统,其中此 系统更包含抽排气系统以减少容室中之压力。 图式简单说明: 图1A、1B、1C、1D与1E概要显示与本发明之实施例相 容之浓度监控器之各种实施例,此浓度监控器包含 载体、化学物质与温度探针。 图2概要显示与本发明之实施例相容的消毒系统。 图3A、3B、3C、3D与3E概要显示与本发明之实施例相 容之包含参考温度探针之浓度监控器的各种实施 例。 图4A概要显示与本发明之实施例相容之包含积体 电路晶片之浓度监控器。 图4B概要显示与本发明之实施例相容之包含薄导 电膜之热电偶接点之浓度监控器。 |
