| 主权项 |
1.一种液晶显示装置,其在两个对向之基板间包含: 液晶层;以及间隔物,其系用来维持胞间隙;同时,该 液晶显示装置在同一像素内或不同像素间,包含上 述液晶层厚度不同之复数个区域; 且上述间隔物系朝上述两基板对向方向延伸之柱 状间隔物;而该柱状间隔物系配置于液晶层厚度不 同之复数个区域中之液晶层厚度最薄之区域,在上 述两个基板中的一个上,配有液晶驱动电极,其包 含反射电极及透过电极; 而在上述一基板上之液晶层厚度最薄之区域上则 设有层间绝缘膜;且在该层间绝缘膜上,设有上述 反射电极。 2.如申请专利范围第1项之液晶显示装置,其中上述 反射电极之表面包含: 凹凸面,其系对入射光进行扩散;以及平坦面,其系 上述柱状间隔物所接触之面。 3.如申请专利范围第1项之液晶显示装置,其中其最 厚之上述液晶层的厚度,相当于上述柱状间隔物高 度与上述层间绝缘膜厚度之和。 4.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之液晶显 示装置,其中在上述两基板中的一个上设有彩色滤 光片层及黑色矩阵层,而在该黑色矩阵层上配置有 上述柱状间隔物。 5.如申请专利范围第4项之液晶显示装置,其中上述 柱状间隔物系设置于上述彩色滤光片层之蓝(Blue) 版上。 6.如申请专利范围第4项之液晶显示装置,其中上述 黑色矩阵层有开口部,且在该开口部内有上述柱状 间隔物形成。 7.如申请专利范围第4项之液晶显示装置,其中上述 柱状间隔物之颜色为黑色。 8.如申请专利范围第4项之液晶显示装置,其中以使 从上述黑色矩阵层之端缘部之距离比上述柱状间 隔物附近所产生之配向缺陷区域更长之方式,将上 述柱状间隔物配置于上述黑色矩阵层上。 9.如申请专利范围第4项之液晶显示装置,其中以使 从上述黑色矩阵层之端缘部之距离比上述柱状间 隔物附近所产生之配向缺陷区域更长之方式,设定 上述柱状间隔物之高度。 10.如申请专利范围第4项之液晶显示装置,其中在 上述黑色矩阵层上进行研磨处理,并以向上述研磨 处理方向延伸之长度比上述柱状间隔物附近所产 生之配向缺陷区域更长之方式,设置上述黑色矩阵 层。 11.如申请专利范围第10项之液晶显示装置,其中上 述黑色矩阵层之区域为从上述柱状间隔物至上述 研磨处理方向之下游侧20m以内。 12.如申请专利范围第1项之液晶显示装置,其中上 述液晶层包含垂直配向性之材料。 13.如申请专利范围第1项之液晶显示装置,其中在 与上述两基板平行方向之面板的切面上,上述柱状 间隔物占面板面积的比率在0.05%以上,且在3.0%以下 。 14.一种液晶显示装置,其经液晶层在两个对向之基 板间之同一像素内或不同像素间,包含液晶层厚度 不同之复数个区域; 上述液晶层厚度不同之复数个区域中,在液晶层厚 度最薄之区域配有反射入射光之反射区域,在液晶 层厚度系其他厚度之之区域配有穿透入射光之穿 透区域; 在上述两个对向之基板间用来维持胞间隙之朝上 述两基板对向方向延伸之柱状间隔物系配置于上 述反射区域。 图式简单说明: 图1与本发明之一实施型态有关,显示液晶显示装 置重要部份结构的切面图。 图2(a)在图1所示之显示液晶显示装置中,其像素电 极在1像素内包含反射部与透过部之例之重要部份 结构的切面图。 图2(b)4个像素电极的平面图,上述像素系位于此图2 (a)所示反射部更下面的部份。 图3与本发明之一实施型态有关,另一种显示液晶 显示装置重要部份结构的切面图。 图4(a)与本发明之一实施型态有关之显示液晶显示 装置,其像素电极在1像素内包含反射部与透过部 之例之重要部份结构的切面图。 图4(b)为将图4(a)所示液晶显示装置之像素配置的 平面图,系表示反射部下面的部份。 图5在本发明之一实施型态之显示液晶显示装置中 ,不包含透明电极与配向层之例之重要部份结构的 扩大切面图。 图6、图1所示BM区域与研磨处理之研磨方向之说明 图。 图7与本发明之其他实施型态有关,显示液晶显示 装置重要部份结构的切面图。 图8与本发明之其他实施型态有关之显示液晶显示 装置,其对向基板之重要部份结构之切面图。 图9在向来之显示液晶显示装置中,其重要部份结 构之切面图。 图10(a)在向来之显示液晶显示装置中,使用球状间 隔物且使用量多之向来之显示液晶显示装置之说 明图。 图10(b)使用球状间隔物量少时之说明图。 图11包含凹凸反射区域之向来之显示液晶显示装 置,其使用球状间隔物时之详细状态说明图。 |
