| 主权项 |
1.提供一记忆体元件的功率消耗模型之方法,该功 率消耗模型由至少一个功率对照表组成,且该记忆 体元件包含有复数脚位,一第一群组包含至少一脚 位,一第二群组包含非第一群组之脚位中至少一脚 位,该方法包括: 定义该第一群组的至少一状态; 定义该第二群组的至少一前后改变量; 定义复数特征値向量,该等特征値向量各包含有该 第一群组的其中一状态及该第二群组的其中一前 后改变量; 提供一输入向量; 执行该输入向量于一代表该记忆体元件之资料集, 并分析该输入向量所对应的复数特征値向量; 对应于一特征値向量,定义该记忆体元件相对应的 一功率消耗量;及 根据上述功率消耗量,定义一功率对照表。 2.如申请专利范围中第1项所述之方法,其定义该第 二群组的至少一前后改变量之步骤亦包括: 纪录该第二群组中至少一脚位之逻辑状态; 当该第二群组中任一脚位改变逻辑状态时,计算该 第二群组的汉明距离;及 根据该汉明距离,定义一前后改变量。 3.如申请专利范围中第1项所述之方法,其中提供该 输入向量之步骤亦包括提供一乱数序列作为该输 入向量。 4.如申请专利范围中第1项所述之方法,其中执行该 输入向量于一代表该记忆体元件之资料集之步骤, 亦包括执行该输入向量于该记忆体元件之电晶体 层次模组。 5.如申请专利范围中第1项所述之方法,其中该记忆 体元件包含有至少一位址脚位及至少一资料脚位, 且该第二群组之脚位由至少一位址脚位或至少一 资料脚位,或两者之组合构成。 6.一应用一记忆体元件之功率消耗模型方法,其中 该记忆体元件包含有复数脚位,一第一群组包含至 少一脚位,一第二群组包含非第一群组之脚位中至 少一脚位,该方法包括: 根据一输入向量,分析该第一群组的复数状态; 提供一替代模组,包括有: 提供一代表该记忆体元件之资料集;及 提供一特征値向量计算器,可用以输出复数个特征 値向量,其中每一特征値向量包含有该第一群组的 其中一状态及该第二群组的其中一前后改变量; 输入该输入向量于该替代模组;及 根据该特征値向量及该替代模组,检索该记忆体元 件之功率消耗模型。 7.如申请专利范围中第6项所述之方法,其中计算该 输入向量造成该第二群组之复数前后改变量之步 骤亦包括: 纪录该第二群组中至少一脚位之逻辑状态; 当该第二群组中任一脚位改变逻辑状态时,纪录该 第二群组的汉明距离;及 根据该汉明距离,定义一前后改变量。 8.如申请专利范围中第6项所述之方法,其中该记忆 体元件包含有至少一位址脚位及至少一资料脚位, 且该第二群组之脚位由至少一位址脚位或至少一 资料脚位,或两者之组合构成。 9.一提供一记忆体元件的功率消耗模型之方法,其 中该记忆体元件包含有至少一位址脚位及至少一 资料脚位,该记忆体元件之复数脚位构成一第一群 组及一第二群组,该第一群组包含至少一脚位,该 第二群组包含非该第一群组之脚位中至少一脚位, 且该第二群组之脚位由至少一位址脚位或至少一 资料脚位,或两者之组合构成,该方法包括: 定义该第一群组的至少一状态; 定义该第二群组的至少一状态; 提供一输入向量; 执行该输入向量于一代表该记忆体元件之资料集, 并纪录该记忆体元件相对于该输入向量之功率消 耗量; 定义复数特征値向量,该等特征値向量各包含有该 第一群组的其中一状态及该第二群组的其中一状 态; 根据一特征値向量及一相对应功率消耗量,定义一 功率对照表;及 根据复数功率对照表,建立该记忆体元件之功率消 耗模型。 10.如申请专利范围中第9项所述之方法,其中提供 该输入向量之步骤亦包括提供一乱数序列作为该 输入向量。 11.如申请专利范围中第9项所述之方法,亦包括执 行该输入向量于该记忆体元件之电晶体层次模组 。 12.一应用一记忆体元件之功率消耗模型方法,其中 该记忆体元件包含有至少一位址脚位及至少一资 料脚位,且该记忆体元件之复数脚位构成一第一群 组及一第二群组,该第一群组包含至少一脚位,该 第二群组包含非该第一群组之脚位中至少一脚位, 且该第二群组之脚位由至少一位元脚位或至少一 资料脚位,或两者之组合构成,该方法包括: 根据一输入向量,分析该第一群组所对应复数状态 ; 提供一替代模组,包括有: 提供一代表该记忆体元件之资料集;及 提供一特征値向量计算器,可用以输出复数个特征 値向量,其中每一特征値向量包含有该第一群组的 其中一状态及该第二群组的其中一状态; 输入该输入向量于该替代模组;及 根据该特征値向量及该替代模组,检索该记忆体元 件之功率消耗模型。 13.一机械可读记忆体,记载有一功率消耗模型,该 功率消耗模型包含有一记忆体元件之复数功率对 照表,其中该记忆体元件包含有至少一位址脚位及 至少一资料脚位,且该记忆体元件之复数脚位构成 一第一群组及一第二群组,该第一群组包含至少一 脚位,该第二群组包含非该第一群组之脚位中至少 一脚位,且该第二群组之脚位由至少一位元脚位或 至少一资料脚位,或两者之组合构成,该机械可读 记忆体亦包含有一程式,且该程式可使一机械执行 以下步骤: 根据该第一群组的状态及该第二群组的其中一前 后改变量,找到一对应的功率对照表。 14.如申请专利范围中第13项所述之机械可读记忆 体,其中该记忆体元件中位址脚位或资料脚位之前 后改变量可为该等脚位之汉明距离。 15.一机械可读记忆体,记载有一功率消耗模型,该 功率消耗模型包含有一记忆体元件之复数功率对 照表,其中该记忆体元件包含有至少一位址脚位及 至少一资料脚位,且该记忆体元件之复数脚位构成 一第一群组及一第二群组,该第一群组包含至少一 脚位,该第二群组包含非该第一群组之脚位中至少 一脚位,且该第二群组之脚位由至少一位元脚位或 至少一资料脚位,或两者之组合构成,该机械可读 记忆体亦包含有一程式,该程式可使一机械执行以 下步骤: 根据该第一群组的状态及该第二群组的状态,找到 一对应的功率对照表。 图式简单说明: 第1图为电路设计流程图。 第2图为一记忆体元件脚位之原型(prototype)。 第3图为美国专利#5,838,579及#6,480,815中相关于SRAM的 功率消耗模型实例。 第4图为摘录TSMC 0.25m Process SRAM-SP-HD Generator User Manual(2002)建立在静态随机存取记忆体(SRAM)的功率 消耗实例。 第5图为记忆体于读取、写时的电流波形。 第6图为本发明所提供之记忆体功率模型之资料结 构。 第7图为本发明各个记忆体功率对照表的建构流程 。 第8图为本发明所提供之记忆体功率模型之实施例 。 第9图为以本发明之功率消耗模型之抽象层次功率 消耗估计方法。 |
