| 主权项 |
1.一种具有许多堆叠层之有机发光二极体(OLED)元 件,包含: 电洞传输层; 在两相邻层之间,具有介于80nm和200nm厚度之发光聚 合物层;及 插在该电洞传输层和该发光聚合物层之间的中间 层,该中间层至少提供下列其中一项之功能: a)帮助电洞注入到该发光聚合物层; b)阻挡电子迁移到该电洞传输层;及 c)减少激子抑制。 2.如申请专利范围第1项之元件,更包含: 阳极层,该阳极层毗邻该发光聚合物层。 3.如申请专利范围第2项之元件,更包含: 阴极层。 4.如申请专利范围第2项之元件,其中该电洞传输层 和该发光聚合物层系至少使用一种有机材料形成 。 5.如申请专利范围第4项之元件,其中该发光聚合物 层系至少使用选择性沉积技术和非选择性沉积技 术其中之一者被形成。 6.如申请专利范围第5项之元件,其中该选择性沉积 技术包含喷墨列印。 7.如申请专利范围第5项之元件,其中该非选择性沉 积技术包含旋布(spin coating)。 8.如申请专利范围第1项之元件,其中该元件系被用 以制作OLED显示器。 9.如申请专利范围第8项之元件,其中该OLED显示器 在性质上系被动矩阵。 10.如申请专利范围第2项之元件,其中发光聚合物 层和电洞传输层的组合厚度系保持固定,电洞传输 层的厚度会随发光聚合物层厚度的增加而减少。 11.如申请专利范围第8项之元件,其中该OLED显示器 在性质上系主动矩阵。 12.一种具有复数个堆叠层之有机发光二极体(OLED) 元件,包含: 电洞传输层; 在两相邻层之间,具有大于80nm厚度之发光聚合物 层;及 插在该电洞传输层和该发光聚合物层之间的中间 层,该中间层至少提供下列其中一项之功能: a)帮助电洞注入到该发光聚合物层; b)阻挡电子迁移到该电洞传输层;及 c)减少激子抑制。 13.如申请专利范围第12项之元件,还包含: 阳极层,该阳极层毗邻该发光聚合物层。 14.如申请专利范围第13项之元件,还包含: 阴极层。 15.如申请专利范围第13项之元件,其中该电洞传输 层和该发光聚合物层系至少使用一种有机材料形 成。 16.如申请专利范围第15项之元件,其中该发光聚合 物层系至少使用选择性沉积技术和非选择性沉积 技术其中之一者被形成。 17.如申请专利范围第16项之元件,其中该选择性沉 积技术包含喷墨列印。 18.如申请专利范围第16项之元件,其中该非选择性 沉积技术包含旋布。 19.如申请专利范围第12项之元件,其中该元件系被 用以制作OLED显示器。 20.如申请专利范围第19项之元件,其中该OLED显示器 在性质上系被动矩阵。 21.如申请专利范围第13项之元件,其中发光聚合物 层和电洞传输层的组合厚度系保持固定的,电洞传 输层的厚度会随发光聚合物层厚度的增加而减少 。 22.如申请专利范围第19项之元件,其中该OLED显示器 在性质上系主动矩阵。 23.如申请专利范围第1项之元件,其中该电洞传输 层具有约30nm之厚度。 24.如申请专利范围第12项之元件,其中该电洞传输 层具有约30nm之厚度。 25.如申请专利范围第1项之元件,其中该中间层系 使用下列至少一种材料形成:聚(2,7-(9,9-二-辛基芴) -)1,4-苯撑-((4-另丁苯基)亚氨基)-1,4-苯撑),聚(p-苯 撑乙烯撑)之非发射形式,三芳基胺型材料和吩 。 26.如申请专利范围第12项之元件,其中该中间层系 使用下列至少一种材料形成:聚(2,7-(a,a-二-辛基芴) -(1,4-苯撑-((4-另丁苯基)亚氨基)-1,4-苯撑),聚(p-苯 撑乙烯撑)之非发射形式,三芳基胺型材料和吩 。 27.如申请专利范围第1项之元件,其中该中间层具 有从约5nm到约100nm之厚度。 28.如申请专利范围第1项之元件,其中该中间层具 有从约10nm到约30nm之厚度。 29.如申请专利范围第12项之元件,其中该中间层具 有从约5nm到约100nm之厚度。 30.如申请专利范围第12项之元件,其中该中间层具 有从约10nm到约30nm之厚度。 图式简单说明: 第1图为具有各种不同LEP层厚度的OLED元件之亮度 和电压; 第2图为具有和没有中间层的OLED元件之亮度和电 压; 第3图为结合厚LEP层和中间层的OLED元件之亮度和 电压; 第4图为根据本发明的至少一个实施例,有机电子 元件405的实施例横截面图;及 第5图为根据本发明的至少一个实施例,较薄HTL层 的影响。 |
