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1.一种有机电激发光元件的制作方法,包括: 提供一基板; 于该基板上形成一阳极层; 于该阳极层上形成一缓冲层,其中形成该缓冲层之 步骤包括: 形成一碳氟薄膜在该阳极层上,而该碳氟薄膜中具 有多数个碳-氟键结分子; 对该碳氟薄膜进行一改质处理,使该些碳-氟键结 分子转变成多数个碳-碳键结分子; 形成多数个有机层于该缓冲层上;以及 形成一阴极层于该些有机层上。 2.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件 的制作方法,其中该改质处理包括一紫外光照射制 程与一电浆处理制程至少其中之一。 3.如申请专利范围第2项所述之有机电激发光元件 的制作方法,其中该紫外光照射制程所使用的紫外 光波长介于大约180nm~260nm之间。 4.如申请专利范围第3项所述之有机电激发光元件 的制作方法,其中该紫外光照射制程所使用的波长 包括大约185nm及254nm其中之一。 5.如申请专利范围第2项所述之有机电激发光元件 的制作方法,其中该紫外光照射制程照射在该碳氟 薄膜上的紫外光能量介于大约270mJ/cm2~ 810mJ/cm2之 间。 6.如申请专利范围第5项所述之有机电激发光元件 的制作方法,其中该紫外光照射制程照射在该碳氟 薄膜上的紫外光能量包括大约270mJ/cm2及810mJ/cm2其 中之一。 7.如申请专利范围第2项所述之有机电激发光元件 的制作方法,其中该电浆处理制程所使用的气体包 括氩气及氮气其中之一。 8.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件 的制作方法,其中该些碳-氟键结分子包括CF1、CF2 、CF3、C-CFn及其组合其中之一。 9.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件 的制作方法,其中形成该碳氟薄膜之方法包括电浆 化学气相沈积法。 10.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件 的制作方法,其中该缓冲层包括电洞注入层与电洞 传输层。 11.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件 的制作方法,其中于该缓冲层上形成该些有机层之 方法包括依序形成一电洞传输层、一有机发光层 、一电子传输层与一电子注入层于该缓冲层上。 12.如申请专利范围第11项所述之有机电激发光元 件的制作方法,其中该电洞传输层之材质包括氮, 氮'-两(1-奈基)-氮,氮'两-(苯基)-对二氨基联苯(NPB) 。 13.如申请专利范围第11项所述之有机电激发光元 件的制作方法,其中该有机发光层之材质包括经掺 杂AlQ3的混合发光材质。 14.如申请专利范围第11项所述之有机电激发光元 件的制作方法,其中该电子传输层之材质包括铝三 (8-羟基奎琳)(AlQ3)。 15.如申请专利范围第11项所述之有机电激发光元 件的制作方法,其中该电子注入层之材质包括氟化 锂(LiF)。 16.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件 的制作方法,其中该阳极层之材质包括金属及透明 导电材质其中之一。 17.如申请专利范围第1项所述之有机电激发光元件 的制作方法,其中该阴极层之材质包括金属及透明 导电材质其中之一。 18.一种多碳薄膜的制作方法,包括: 提供一基板; 形成一碳氟薄膜在该基板上,而该碳氟薄膜中具有 多数个碳-氟键结分子;以及 对该碳氟薄膜进行一改质处理,使该些碳-氟键结 分子转变成多数个碳-碳键结分子。 19.如申请专利范围第18项所述之多碳薄膜的制作 方法,其中该改质处理包括一紫外光照射制程与一 电浆处理制程至少其中之一。 20.如申请专利范围第19项所述之多碳薄膜的制作 方法,其中该紫外光照射制程所使用的紫外光波长 介于大约180nm~260nm之间。 21.如申请专利范围第20项所述之多碳薄膜的制作 方法,其中该紫外光照射制程所使用的波长包括大 约185nm及254nm其中之一。 22.如申请专利范围第19项所述之多碳薄膜的制作 方法,其中该紫外光照射制程照射在该碳氟薄膜上 的紫外光能量介于大约270mJ/cm2~810MJ/cm2之间。 23.如申请专利范围第22项所述之多碳薄膜的制作 方法,其中该紫外光照射制程照射在该碳氟薄膜上 的紫外光能量包括大约270MJ/cm2及810MJ/cm2其中之一 。 24.如申请专利范围第19项所述之多碳薄膜的制作 方法,其中该电浆处理制程所使用的气体包括氩气 及氮气其中之一。 25.如申请专利范围第18项所述之多碳薄膜的制作 方法,其中该些碳-氟键结分子包括CF1、CF2、CF3、C- CFn及其组合其中之一。 26.如申请专利范围第18项所述之多碳薄膜的制作 方法,其中形成该碳氟薄膜之方法包括电浆化学气 相沈积法。 图式简单说明: 图1绘示为习知一种有机电激发光元件的结构示意 图。 图2A~图2F绘示为本发明之较佳实施例中一种有机 电激发光元件的制作方法的步骤流程剖面示意图 。 图3绘示为不同之有机电激发光元件的相对发光效 率的示意图。 图4A~图4C绘示为本发明之较佳实施例中一种多碳 薄膜的制作方法的步骤流程剖面示意图。 图5A绘示为改质处理前的碳氟薄膜的X射线光电子 光谱图。 图5B绘示为改质处理后的碳氟薄膜的X射线光电子 光谱图。 |
