| 主权项 |
1.一种根据一输入电压来产生一输出电流的电压 至电流转换电路,包含一第一MOSFET,一固定的汲极- 源极电压系全时间被施加到该第一MOSFET,该第一 MOSFET产生该输入电压的第一电流讯号: 一第二MOSFET,其具有与该第一MOSFET之极性相同的极 性,该固定的汲极-源极电压系全时间被施加到该 第二MOSFET,该第二MOSFET产生该输入电压之与该第一 电流讯号互补的第二电流讯号;及 一差异电流运作电路,其执行在该第一电流讯号与 该第二电流讯号之间之相减的运作。 2.如申请专利范围第1项所述之电压至电流转换电 路,其中,该输入电压系被施加到该第一MOSFET的闸 极,而且 该电压至电流转换电路更包含一闸极电压产生电 路,该闸极电压产生电路藉由把该输入电压从是为 该第二MOSFET之临界电压两倍之电压与该固定之汲 极-源极电压之总和减去来产生要被施加到该第二 MOSFET之闸极的电压。 3.如申请专利范围第1项所述之电压至电流转换电 路,其中,该输入电压系被施加到该第一MOSFET的闸 极,该输入电压系被施加到该第二MOSFET的源极;且 一固定的闸极电压,其是为该是为第二MOSFET之临界 电压两倍之电压与该固定之汲极-源极电压的总和 ,系被施加到该闸极;且 其中,该电压至电流转换电路更包含一个产生一汲 极电压的汲极电压产生电路,该汲极电压是为该固 定之汲极-源极电压与该输入电压的总和,而且系 被施加到该第二MOSFET的汲极。 4.如申请专利范围第3项所述之电压至电流转换电 路,更包含一闸极偏压产生电路,该闸极偏压产生 电路产生要被施加到该第二MOSFET之闸极之固定的 闸极电压。 5.一种根据在一第一输入电压与一第二输入电压 之间之差异电压来产生一输出电流的OTA,包含一第 一电压至电流转换电路,该第一电压至电流转换电 路系根据该第一输入电压来产生一第一输出电流; 一第二电压至电流转换电路,该第二电压至电流转 换电路系根据该第二输入电压来产生一第二输出 电流;及 一差异输出运作电路,该差异输出运作电路执行计 算在该第一输出电流与该第二输出电流之间之差 异电流的运作,且 其中,该第一电压至电流转换电路与该第二电压至 电流转换电路中之每一者包含一第一MOSFET、一具 有与该第一MOSFET之极性相同之极性的第二MOSFET、 及一差异电流运作电路,该固定的汲极-源极电压 系全时间被施加到该第一MOSFET,该第一MOSFET产生该 输入电压的第一电流讯号,该固定之汲极-源极电 压系全时间被施加到该第二MOSFET,该第二MOSFET产生 该输入电压之与该第一电流讯号互补的第二电流 讯号,该差异电流运作电路执行在该第一电流讯号 与该第二电流讯号之间之相减的运作。 6.如申请专利范围第5项所述之OTA,其中,该输入电 压系被施加到该第一MOSFET的闸极,且 该电压至电流转换电路更包含一闸极电压产生电 路,该闸极电压产生电路藉由把该输入电压从是为 该第二MOSFET之临界电压两倍之电压与该固定之汲 极-源极电压之总和减去来产生要被施加到该第二 MOSFET之闸极的电压。 7.如申请专利范围第5项所述之OTA,其中,该输入电 压系被施加到该第一MOSFET的闸极,该输入电压系被 施加到该第二MOSFET的源极;且一固定的闸极电压, 其是为该是为第二MOSFET之临界电压两倍之电压与 该固定之汲极-源极电压的总和,系被施加到该闸 极;且 其中,该电压至电流转换电路更包含一个产生一汲 极电压的汲极电压产生电路,该汲极电压是为该固 定之汲极-源极电压与该输入电压的总和,而且系 被施加到该第二MOSFET的汲极。 8.如申请专利范围第7项所述之OTA,更包含一闸极偏 压产生电路,该闸极偏压产生电路产生要被施加到 该第二MOSFET之闸极之固定的闸极电压。 图式简单说明: 第1图是为显示在一OTA之电路图中所使用之一般符 号的图示; 第2图是为显示具有轨-对-轨之OTA之习知例子的图 示,其是为一p通道MOSFET之OTA电路与一n通道MOSFET之 OTA电路的组合; 第3图是为显示本发明之电压至电流转换电路之基 极结构的图示; 第4A和4B图是为分别显示实现本发明之电压至电流 转换电路之第一特征之基本电路结构和运作原理 的图示; 第5A和5B图是为分别显示实现本发明之电压至电流 转换电路之第二特征之基本电路结构和变化之例 子的图示; 第6图是为显示第一实施例中之电压至电流转换电 路之电路结构的图示,其是为利用n通道MOSFETs实现 之本发明之第一特征之电压至电流转换电路; 第7图是为显示要在本发明之实施例中使用之一2VT 产生电路之电路结构之例子的图示; 第8图是为显示一个使用第一实施例中之两个电压 至电流转换电路之OTA之概略结构的图示; 第9图是为显示在第8图中所示之OTA之电路结构的 图示; 第10图是为显示第二实施例中之电压至电流转换 电路之电路结构的图示,其是为利用p通道MOSFETs实 现之本发明之第一特征之电压至电流转换电路; 第11图是为显示第三实施例中之电压至电流转换 电路之概略结构的图示,其是为利用n通道MOSFETs实 现之本发明之第二特征之电压至电流转换电路; 第12图是为显示第三实施例中之电压至电流转换 电路之电路结构的图示; 第13图是为显示第三实施例中之电压至电流转换 电路之输入电压对输出电流特性的图示; 第14图是为显示第三实施例之变化例子之电压至 电流转换电路之电路结构的图示; 第15图是为显示一个使用两个第三实施例中之电 压至电流转换电路之OTA之概略结构的图示; 第16图是为显示在第15图中所示之OTA之电路结构之 一部份的图示; 第17A和17B图是为显示在第15图中所示之OTA之电路 结构之一部份的图示; 第18图是为显示在第15图中所示之OTA之电路结构之 一部份的图示; 第19图是为显示在第15图中所示之OTA之电路结构之 一部份的图示; 第20图是为显示第四实施例中之电压至电流转换 电路之电路结构的图示,其是为利用p通道MOSFETs实 现之本发明之第二特征之电压至电流转换电路。 |
