| 主权项 |
1.一种药液的评估方法,其包含: 就液体中之粒子,藉由测定求得针对各种粒子数; 根据藉由上述测定求得之上述粒子之各种大小之 粒子数,藉由函数表现上述液体中之粒子大小与对 应于上述大小之粒子数之关系;及 根据上述函数,评估上述液体中之粒子中测定界限 以下大小之粒子之影响。 2.如请求项1之药液的评估方法,其中 上述函数为P=P0+Ae-z, 式中Z为粒子尺寸、P为粒子数、P0以及A为系数、 为指数函数之幂数。 3.如请求项2之药液的评估方法,其中根据上述大 小,判断上述液体之好坏。 4.如请求项1之药液的评估方法,其中上述药液系光 阻溶液、含低介质材料溶液或含铁电材料溶液。 5.一种药液的认定方法,其包含: 就液体中之粒子,藉由测定求得针对各种粒子数; 根据藉由上述测定求得之上述粒子之各种大小之 粒子数,藉由函数表现上述液体中之粒子大小与对 应于上述大小之粒子数之关系; 根据上述函数,评估上述液体中之粒子中测定界限 以下大小之粒子之影响,判断上述液体之好坏;及 于判断上述液体之好坏,判断上述液体为良好时, 认定上述液体为药液。 6.如请求项5之药液的认定方法,其中 上述函数为P=P0+Ae-z, 式中Z为粒子尺寸、P为粒子数、P0以及A为系数、 为指数函数之幂数。 7.如请求项6之药液的认定方法,其中根据上述大 小,判断上述液体之好坏。 8.如请求项5之药液的认定方法,其中上述药液系光 阻溶液、含低介质材料溶液或含铁电材料溶液。 9.一种药液的认定方法,其包含: 关于液体中之粒子,使用液中微粒计数器,求得上 述粒子之各种大小之粒子数; 藉由指数函数或次方函数表现上述微粒子大小与 对应于其之粒子数之关系; 比较上述指数函数之系数与上述次方函数之幂数 之至少一方之系数与预先设定之値;及 比较上述指数函数之系数与上述次方函数之幂数 之至少一方之系数与预先设定之値中,上述系数小 于预先设定之値时,认定上述液体为用于特定半导 体制造步骤之药液。 10.如请求项9之药液的认定方法,其中 上述指数函数为P=P0+Ae-z,上述次方函数为P=P0'+A'Z -', 式中Z为粒子尺寸、P为粒子数、P0、P0'、A以及A'为 系数、为指数函数之幂数、'为幂数。 11.如请求项10之药液的认定方法,其中根据上述 或上述'大小,判断上述液体之好坏。 12.如请求项9之药液的认定方法,其中上述药液系 光阻溶液、含低介质材料溶液或含铁电材料溶液 。 13.一种半导体装置的制造方法,其包含: 将作为藉由请求项5、6、7、9或10中任何一项之药 液认定方法认定之药液的光阻溶液涂敷于被处理 基板上,藉此形成光阻膜; 选择性地使上述光阻膜之一部分曝光;及 使上述一部分被选择性地曝光之上述光阻膜显影, 藉此形成光阻图案。 14.一种半导体装置的制造方法,其包含: 于被处理基板上形成含有开口区域之光阻图案;及 将藉由请求项5、6、7、9或10中任一项之药液认定 方法认定之开口区域缩小材料溶液涂敷于上述光 阻图案上,使上述开口区域缩小材料溶液与上述光 阻图案反应,藉此缩小上述光阻图案之上述开口区 域。 15.一种半导体装置的制造方法,其包含: 将作为藉由请求项5、6、7、9或10中任一项之药液 认定方法认定之药液的含低介质材料溶液涂敷于 被处理基板上,藉此形成低介质涂敷膜; 藉由微影制程,于上述低介质涂敷膜上形成遮罩图 案;及 以上述遮罩图案为遮罩而选择性地蚀刻上述低介 质涂敷膜,藉此形成低介质图案。 16.一种半导体装置的制造方法,其包含: 将作为藉由请求项5、6、7、9或10中任一项之药液 认定方法认定之药液的含铁电材料溶液涂敷于被 处理基板上,藉此形成铁电涂敷膜; 藉由微影制程,于上述铁电涂敷膜上形成遮罩图案 ;及 以上述遮罩图案为遮罩而选择性地蚀刻上述铁电 涂敷膜,藉此形成铁电图案。 图式简单说明: 图1系表示光阻溶液中之微粒尺寸与个数之测定结 果以及预测结果的图。 图2系表示晶圆上之缺陷数与指数函数之幂数之关 系的图。 图3系表示晶圆上之缺陷数与次方函数之幂数之关 系的图。 图4A-4D系表示第一实施例之半导体装置之制造方 法的剖面图。 图5A-5C系表示第二实施例之半导体装置之制造方 法的剖面图。 图6系表示第二实施例之半导体装置之制造方法之 变形例的剖面图。 图7A-7C系表示第三实施例之半导体装置之制造方 法的剖面图。 图8A-8C系表示第四实施例之半导体装置之制造方 法的剖面图。 |
