| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为:在相同基板上,形成 含有第1及第2岛状半岛体层之2个以上的岛状半导 体层, 至少第1岛状半导体层是以平行于基板表面之截面 的截面积对垂直方向之高度成为阶梯性不同的方 式,在该侧壁具有阶差, 第2岛状半导体层和第1岛状半导体层之侧壁阶差 之有无或阶差之数量是互不相同, 第1及第2岛状半导体层是在藉由阶差而所区隔出 之侧壁之各部或是不持有阶差之侧壁上具有元件 。 2.一种半导体装置,其特征为:在相同基板上,形成 含有第1及第2岛状半岛体层之2个以上的岛状半导 体层, 至少第1岛状半导体层是以平行于基板表面之截面 的截面积对垂直方向之高度成为阶梯性不同的方 式,在该侧壁具有阶差, 第1和第2岛状半导体层高度为互不相同, 第1及第2岛状半导体层是在藉由阶差而所区隔出 侧壁之各部或是不持有阶差之侧壁上具有元件。 3.如申请专利范围第1项或第2项所记载之半导体装 置,其中,第1岛状半导体层具备在侧壁上之元件的 组合是与第2岛状半导体层具备在侧壁上之元件或 是该组合有所不同。 4.如申请专利范围第1项或第2项所记载之半导体装 置,其中,上述元件为将具有形成在第1或第2岛状半 导体层之侧壁周围的全部或是一部分上之电极当 作闸极电极的电晶体或上述电极当作一方之电极, 并将经由绝缘膜而被形成在侧壁上之杂质扩散层 当作另一方电极的电容器,或是具有被形成在第1 或第第2岛状半导体层之侧壁周围的全部或是一部 分上之电荷蓄积层及控制闸极的记忆单元。 5.如申请专利范围第1项或第2项所记载之半导体装 置,其中,基板和第1及第2岛状半导体层是包含第1 导电型之第1区域,和由被形成在基板表面之至少 一部分上之第2导电型之杂质扩散层所构成之第2 区域,藉由在上述第1区域和第2区域之间施加电压 而被形成在基板和岛状半导体层之接合部上的空 乏层,上述元件则自基板被电性绝缘。 6.一种半导体装置之制造方法,是属于至少具有被 形成在相同基板上,在该侧壁上具有阶差之第1岛 状半导体层和在该侧壁无具有阶差或是具有比第1 岛状半导体层数量少之阶差之第2岛状半导体层的 半导体装置之制造方法,其特征为:至少包含有 在第1及第2岛状半导体层之侧壁上形成边壁( sidewall)的边壁形成工程; 于该侧壁无形成阶差时先执行下一个工程而除去 第2岛状半导体层之边壁的边壁除去工程;和 将至少被配置在第1岛状半导体层之侧壁上的上述 边壁当作遮罩,而仅以规定深度再挖掘上述基板, 在第1岛状半导体层上形成与已经被形成之侧壁具 有阶差之新的侧壁,并对应上述边壁之有无而在第 2岛状半导体层上形成与已经被形成之侧壁具有或 不具有阶差之新的侧壁的挖掘工程。 7.如申请专利范围第6项所记载之制造方法,其中, 具备有仅以规定深度挖掘第1及第2岛状半导体层 以外之基板表面,而形成第1岛状半导体层之最上 层之侧壁,和对应于上述侧壁之第2岛状半导体层 之侧壁的工程,和于上述工程后,直到在第1岛状半 导体层上形成规定数量之阶差为止,仅以规定次数 被依序反覆的上述边壁形成工程、边壁除去工程 和挖掘工程,和在藉由各岛状半导体层之阶差而所 区隔出之侧壁之各部或是无阶差之侧壁上形成元 件的工程, 形成在该侧壁上具有规定数量之阶差的第1岛状半 导体层,和在该侧壁上不具有阶差或具有比第1岛 状半导体层数量少之阶差的第2岛状半导体层。 8.如申请专利范围第6项所记载之制造方法,其中, 具备有仅以规定深度挖掘第1及第2岛状半导体层 以外之基板表面,而形成第1岛状半导体层之最上 层之侧壁,和对应于上述侧壁之第2岛状半导体层 之侧壁的工程,于上述工程之后,第2岛状半导体层 无到达规定高度之时,则直到到达上述高度为止被 依序反覆的上述边壁形成工程,边壁除去工程和挖 掘工程。 在第1及第2岛状半导体层之侧壁上又形成边壁的 第2边壁形成工程, 以光阻剂覆盖第2岛状半导体层和包含此之基板表 面之区域的光阻剂覆盖工程, 将被配置在第1岛状半导体层之侧壁上的上述边壁 和上述光阻剂当作遮罩,而仅以规定深度再挖掘上 述基板,在第1岛状半导体层上形成与已经被形成 之侧壁具有阶差之新的侧壁,并挖掘包含以光阻剂 所覆盖之第2岛状半导体层之区域的第2挖掘工程, 于第2挖掘工程后,第1岛状半导体层之侧壁的阶差 无到达规定数量之时,则直到到达上述阶差数量为 止被反覆的上述第2边壁形成工程和第2挖掘工程, 和 在藉由各岛状半导体层之阶差而所区隔出之侧壁 之各部或是无阶差之侧壁上形成元件的工程, 形成在该侧壁上具有规定数量之阶差的第1岛状半 导体层,和与第1岛状半导体层不同高度,于该侧壁 上不具有阶差或是具有比第1岛状半导体层数量少 之阶差的第2岛状半导体层。 9.如申请专利范围第7项或第8项所记载之制造方法 ,其中,藉由在所有边壁除去工程中除去第2岛状半 导体层之边壁,而在第2岛状半导体层上形成无阶 差之侧壁。 10.如申请专利范围第7项或第8项所记载之制造方 法,其中,边壁除去工程之至少一次是藉由不除去 第2岛状半导体层之边壁,而在第2岛状半导体层上 形成具有比第1岛状半导体层数量少之阶差的侧壁 。 11.一种携带电子机器,其特征为:具备有申请专利 范围第1项至第5项中之任一项所记载之半导体装 置。 图式简单说明: 第1图是表示该发明之半导体装置之构造一例的截 面图。(实施形态1) 第2图是表示该发明之半导体装置之构造之不同例 的截面图。(实施形态1) 第3图是表示该发明之半导体装置之制造工程之一 例的工程截面图。(实施形态2) 第4图是表示该发明之半导体装置之制造工程之一 例的工程截面图。(实施形态2) 第5图是表示该发明之半导体装置之制造工程之一 例的工程截面图。(实施形态2) 第6图是表示该发明之半导体装置之制造工程之一 例的工程截面图。(实施形态2) 第7图是表示该发明之半导体装置之制造工程之一 例的工程截面图。(实施形态2) 第8图是表示该发明之半导体装置之制造工程之一 例的工程截面图。(实施形态2) 第9图是表示该发明之半导体装置之制造工程之一 例的工程截面图。(实施形态2) 第10图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 一例的工程截面图。(实施形态2) 第11图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 一例的工程截面图。(实施形态2) 第12图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 一例的工程截面图。(实施形态2) 第13图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 一例的工程截面图。(实施形态2) 第14图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 一例的工程截面图。(实施形态2) 第15图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 一例的工程截面图。(实施形态2) 第16图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 一例的工程截面图。(实施形态2) 第17图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 一例的工程截面图。(实施形态2) 第18图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 一例的工程截面图。(实施形态2) 第19图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 一例的工程截面图。(实施形态2) 第20图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 一例的工程截面图。(实施形态2) 第21图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 一例的工程截面图。(实施形态2) 第22图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 一例的工程截面图。(实施形态2) 第23图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 一例的工程截面图。(实施形态2) 第24图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 一例的工程截面图。(实施形态2) 第25图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 一例的工程截面图。(实施形态2) 第26图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 一例的工程截面图。(实施形态2) 第27图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 一例的工程截面图。(实施形态2) 第28图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 不同例的工程截面图。(实施形态3) 第29图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 不同例的工程截面图。(实施形态3) 第30图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 不同例的工程截面图。(实施形态3) 第31图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 不同例的工程截面图。(实施形态3) 第32图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 不同例的工程截面图。(实施形态3) 第33图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 又一不同例的工程截面图。(实施形态4) 第34图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 又一不同例的工程截面图。(实施形态4) 第35图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 又一不同例的工程截面图。(实施形态4) 第36图是表示该发明之半导体装置之制造工程之 又一不同例的工程截面图。(实施形态4) 第37图是表示使用该发明之半导体装置之携带电 子机器之实施形态的行动电话之例的方块图。(实 施形态5) 第38图是表示被形成在以往之EEPROM内之1个岛状半 导体层之构造的截面图。 |
