| 主权项 |
1.一种用于基体快速热处理之系统,该系统包含: 一辐射能源;以及 一反射器实质地围绕该辐射能源造成辐射能撞击 一基体之一表面,该辐射能源被组配成被闪烁以突 然加热该基体之一活性层,该辐射能包括一介于约 0.5J/cm2及约100J/cm2之间之平均电力。 2.一种用于基体快速热处理之系统,该系统包含: 一辐射能源;以及 一反射器实质地围绕该辐射能源造成辐射能撞击 一基体之一表面,该辐射能源被组配成被闪烁以突 然加热该基体之一活性层,该活性层包括位于该基 体之该表面下介于10nm及约1mm之间的该基体的一部 份。 3.如申请专利范围第2项所述之系统,其中该活性层 之一温度系介于500℃与1400℃之间。 4.如申请专利范围第2项所述之系统,其中该闪烁以 突然加热包含一介于约1毫微秒及约10秒之间的实 质瞬间反应时间。 5.如申请专利范围第2项所述之系统,其中该反射器 包含一内层表面,其已用一由金与银组成之该群组 取得的材料加以涂覆。 6.如申请专利范围第2项所述之系统,其中该反射器 反射小于约900nm之波长。 7.如申请专利范围第2项所述之系统,其中该反射器 具有一由一平面、一球面、一抛物线面与一椭圆 面所组成之该群组取得的几何形状。 8.如申请专利范围第2项所述之系统,其中该辐射能 源包含数个高强度灯。 9.如申请专利范围第2项所述之系统,其中该反射器 将该辐射能聚焦于一第一焦点,该第一焦点系在该 基体之该表面上。 10.如申请专利范围第2项所述之系统,其中该反射 器将该辐射能聚焦于一第一焦点,其中该第一焦点 发射一撞击该基体之该表面之辐射能光束。 11.如申请专利范围第10项所述之系统,其中该基体 系罩于一非氧之环境内。 12.一种用于基体快速热处理之系统,该系统包含: 一室; 至少一辐射能源被配置于该室内;以及 一反射器总成实质地围绕该至少一辐射能源,该反 射器总成包括一反射表面用于将来自该辐射能源 之辐射能聚焦于一第一焦点以在一介于约1毫微秒 与约10秒间的实质瞬间时间撞击一基体之一表面 而在该实质瞬间时间期间提高该基体之一活性层 温度至约500℃与约1400℃间,该活性层包括位于该 基体之一表面下介于10nm及约1mm之间的该基体的一 部份。 13.一种用于基体快速热处理之方法,该方法包含: 设置一包括一辐射能源与一反射器之室;以及 闪烁该辐射能源以在一实质瞬间时间撞击一基体 之一表面而加热该基体之一活性层,该辐射能包括 一介于约0.5J/cm2及约100J/cm2之平均电力。 14.一种用于基体快速热处理之方法,该方法包含: 设置一包括一辐射能源与一反射器之室;以及 闪烁该辐射能源以在一实质瞬间时间撞击一基体 之一表面而加热该基体之一活性层,该活性层包括 位于该基体之一表面下介于10nm及约1mm间之该基体 的一部份。 15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该活性 层之一温度系介于约500℃及1400℃之间。 16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该实质 瞬间时间系介于约1毫微秒及约10秒之间。 17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该反射 器包含一内层表面,其已用一由金与银组成之该群 组取得的材料加以涂覆。 18.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该反射 器反射小于约900nm之波长。 19.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该反射 器具有一自一平面、一球面、一抛物线面与一椭 圆面所组成之该群组取得的几何形状。 20.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该聚焦 包含自该第一焦点发射该聚焦辐射能之一辐射能 光束至该基体之一表面。 21.一种用于基体快速热处理之方法,该方法包含: 设置一包括一辐射能源与一反射器之室; 提高该辐射能源之该功率位准至一尖峰功率位准, 以将一基体之一活性层曝现于一第一辐射能一第 一实质瞬间时间期间;并于此后 维持该辐射能源之一第二功率位准小于该第一功 率位准,以将该基体之一块曝现于一第二辐射能一 第二时间期间; 该第一时间期间系介于约1毫微秒与约10秒之间,且 该第二时间期间系介于约0秒与3600秒之间。 22.如申请专利范围第21项所述之方法,其中该辐射 能源包含一个高强度灯。 23.如申请专利范围第21项所述之方法,其中该辐射 能包括一介于约0.5J/cm2及约100J/cm2之平均电力。 24.如申请专利范围第21项所述之方法,其中该活性 层包括位于该基体之一表面下介于10nm及约1mm间之 该基体的一部份。 25.如申请专利范围第2项所述之系统,其中该辐射 能源包含一个高强度灯。 26.如申请专利范围第25项所述之系统,其中该高强 度灯包含一包括一冷却流体之流动管。 27.如申请专利范围第25项所述之系统,其中该高强 度灯系自包括一氙(Xe)、氩(Argon)、及氪(Krypton)弧 灯之该群组选出。 28.如申请专利范围第2项所述之系统,其中该辐射 能包含一介于约0.5J/cm2及约100J/cm2之平均电力。 29.如申请专利范围第12项所述之系统,其中该第一 焦点系设置于该基体之该表面上。 30.如申请专利范围第12项所述之系统,其中自该第 一焦点放射之能量流通撞击该基体之该表面。 31.如申请专利范围第12项所述之系统,其中该辐射 能源包含一自包括氙(Xe)、氩(Argon)、及氪(Krypton) 弧灯之该群组选出之高强度灯。 32.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该辐射 能源包含一个高强度灯。 33.如申请专利范围第32项所述之方法,其中该高强 度灯包含一包括一冷却流体之流动管。 34.如申请专利范围第32项所述之方法,其中该高强 度灯系从由氙(Xe)、氩(Argon)、氪(Krypton)弧灯所构 成之群组选出。 图式简单说明: 第1A与1B图分别为一半导体晶圆处理系统之一实施 例的侧面与上方示意图,其建立本发明之代表性环 境; 第2A图为依照本发明之原理的RTP反应器系统之简 化图; 第2B图为依照本发明之替选实施例的RTP反应器系 统之简化图; 第2C图为依照本发明之替选实施例的RTP反应器系 统之简化图; 第2D图为依照本发明之原理的半导体晶圆之活性 层的简化图; 第3图为依照本发明之辐射室实施例之简化图; 第4图为本发明之另一实施例的简化图; 第5A与5B图为依照本发明之急骤退火系统实施例的 简化图; 第6图为依照本发明之用于第5图的急骤退火系统 之反射器总成的简化图; 第7图为依照本发明之第6图的反射器总成替选实 施例之简化图; 第8图为依照本发明之第6图的反射器总成替选实 施例之简化图; 第9A-9D图为依照本发明实施例之点亮灯的电源之 简化电路图;以及 第10图为依照本发明之电源电路的实施例;以及 第11图为依照本发明之电源电路的实施例。 |
