| 主权项 |
1.一种物理气相沈积设备,包括: 一反应室; 一晶圆承载基座,配置于该反应室的底部,用以承 载一晶圆;以及 一晶圆固定(Clamp)环,配置于该晶圆承载基座上方, 用以使该晶圆固定于该晶圆承载基座上,且该晶圆 固定环系暴露出该晶圆之沈积区域,而且该晶圆固 定环系为一体成形之构件。 2.如申请专利范围第1项所述之物理气相沈积设备, 其中该晶圆固定环的材质包括不锈钢材质。 3.如申请专利范围第1项所述之物理气相沈积设备, 其中该晶圆固定环的表面系为粗糙表面。 4.如申请专利范围第1项所述之物理气相沈积设备, 其中该晶圆固定环之背面具有至少一环形凹槽。 5.如申请专利范围第1项所述之物理气相沈积设备, 更包括一阻挡构件,配置于该晶圆固定环之侧面, 用以阻挡该反应室侧壁上之开口。 6.如申请专利范围第5项所述之物理气相沈积设备, 其中该阻挡构件具有一连接部与一阻挡部,其中该 连接部系固定于该晶圆固定环之表面上,而该阻挡 部系遮盖住该反应室侧壁之开口。 7.一种物理气相沈积制程,包括: 将一晶圆传送至一反应室中,并放置于一晶圆承载 基座上; 将一晶圆固定环放置于该晶圆承载基座上方,以使 该晶圆固定于该晶圆承载基座上,且该晶圆固定环 系暴露出该晶圆之沈积区域,而且该晶圆固定环系 为一体成形之构件;以及 于该晶圆上沈积一薄膜。 8.如申请专利范围第7项所述之物理气相沈积制程, 其中该晶圆固定环的材质包括不锈钢材质。 9.如申请专利范围第7项所述之物理气相沈积制程, 其中该晶圆固定环的表面系为粗糙表面。 10.如申请专利范围第7项所述之物理气相沈积制程 ,其中该晶圆固定环背面具有至少一环形凹槽。 11.如申请专利范围第7项所述之物理气相沈积制程 ,其中当历经特定次数之沈积制程之后,更包括对 该晶圆固定环进行一清洁步骤。 12.如申请专利范围第11项所述之物理气相沈积制 程,其中该清洁步骤包括一酸洗步骤。 13.如申请专利范围第11项所述之物理气相沈积制 程,其中于该清洁步骤之后,更包括对该晶圆固定 环进行一粗糙化步骤。 14.如申请专利范围第13项所述之物理气相沈积制 程,其中该粗糙化步骤包括进行一喷砂处理。 15.如申请专利范围第14项所述之物理气相沈积制 程,其中该喷砂处理系使用氧化铝砂(Al2O3)。 图式简单说明: 第1图是依照本发明一较佳实施例的一种物理气相 沈积设备之剖面示意图。 第2A图是第1图中的晶圆固定环其正面朝上之立体 示意图。 第2B图是第1图中的晶圆固定环其背面朝上之立体 示意图。 第3图是第1图中的阻挡构件之立体示意图。 第4图是第1图中的阻挡构件配置于晶圆固定环上 之立体示意图。 |
