| 主权项 |
1.一种电压侦测电路,适用于侦测一第一电压源之 电压位准,包括: 一第一金氧半电晶体,具有一第一汲极、一第一闸 极、以及一第一源极,其中上述第一闸极系耦接到 第一汲极; 一第二金氧半电晶体,具有一第二汲极、一第二闸 极、以及一第二源极,其中上述第二闸极系耦接到 第二汲极; 一比较器,具有一第一输入端、耦接于上述第二汲 极之一第二输入端,以及一输出端; 一第一电阻,耦接于上述第一输入端与第一汲极之 间; 一第二电阻,耦接于上述第一电压源; 一第三电阻,耦接于上述第二电阻与第一输入端之 间; 一第四电阻,耦接于上述第二电阻与第二输入端之 间; 一第五电阻,耦接于上述第一源极与第二源极之连 接点,以及一第二电压源之间;以及 一电阻性装置,耦接于上述第一电压源与上述第一 源极与第二源极之连接点之间。 2.如申请专利范围第1项所述之电压侦测电路,其中 : 上述第一金氧半电晶体为N型金氧半电晶体; 上述第二金氧半电晶体为N型金氧半电晶体; 上述第一电压源是一高电压源;以及 上述第二电压源是一低电压源。 3.如申请专利范围第1项所述之电压侦测电路,其中 当温度提高时,上述第一电阻两端之跨压增加。 4.如申请专利范围第1项所述之电压侦测电路,其中 上述电阻性装置为一第六电阻。 5.如申请专利范围第1项所述之电压侦测电路,其中 当温度提高时,上述第一金氧半电晶体之两端第一 汲极与第一源极之跨压减少。 6.如申请专利范围第1项所述之电压侦测电路,其中 当温度提高时,上述第二金氧半电晶体之两端第二 汲极与第二源极之跨压减少。 7.如申请专利范围第1项所述之电压侦测电路,其中 当温度提高时,上述第五电阻两端之跨压系随温度 增加。 8.如申请专利范围第1项所述之电压侦测电路,其中 当温度提高时,上述第一源极与第二源极连接点之 电压位准上升。 9.一种电压侦测电路,适用于侦测一第一电压源之 电压位准,包括: 一第一金氧半电晶体,具有一第一汲极、一第一闸 极、一第一源极,其中上述第一闸极系耦接到第一 汲极; 一第二金氧半电晶体,具有一第二汲极、一第二闸 极、一第二源极,其中上述第二闸极系耦接到第二 汲极; 一比较器,具有一第一输入端、耦接于上述第二汲 极之一第二输入端,以及一输出端; 一第一电阻,耦接于上述第一输入端与第一汲极之 间; 一第二电阻,耦接于上述第一电压源; 一第三电阻,耦接于上述第二电阻与第一输入端之 间; 一第四电阻,耦接于上述第二电阻与第二输入端之 间; 一第五电阻,耦接于上述第一源极与第二源极之连 接点,以及一第二电压源之间;以及 一正温度系数装置,与上述第五电阻并联,当温度 提高时,则通过上述正温度系数装置之电流增加。 10.如申请专利范围第9项所述之电压侦测电路,其 中: 上述第一金氧半电晶体为N型金氧半电晶体; 上述第二金氧半电晶体为N型金氧半电晶体; 上述第一电压源是一高电压源;以及 上述第二电压源是一低电压源。 11.如申请专利范围第9项所述之电压侦测电路,其 中当温度提高时,上述第一电阻两端之跨压增加。 12.如申请专利范围第9项所述之电压侦测电路,其 中上述正温度系数装置为一第三金氧半电晶体,具 有一第三汲极、一第三闸极、一第三源极,其中上 述第三闸极系耦接到第三汲极。 13.如申请专利范围第9项所述之电压侦测电路,其 中上述正温度系数装置为一N型金氧半电晶体。 14.如申请专利范围第9项所述之电压侦测电路,其 中上述正温度系数装置为一二极体。 15.如申请专利范围第9项所述之电压侦测电路,其 中当温度提高时,上述第一金氧半电晶体之两端第 一汲极与第一源极之跨压减少。 16.如申请专利范围第9项所述之电压侦测电路,其 中当温度提高时,上述第二金氧半电晶体之两端第 二汲极与第二源极之跨压减少。 17.如申请专利范围第9项所述之电压侦测电路,其 中当温度提高时,上述第五电阻两端之跨压增加。 18.如申请专利范围第9所述之电压侦测电路,其中 当温度提高时,上述第一源极与第二源极连接点之 电压位准上升。 图式简单说明: 第1图系显示传统电源启动侦测电路之电路图。 第2图系显示另一传统电源启动侦测电路之电路图 。 第3图系显示根据本发明第一实施例所述之电压侦 测电路之电路图。 第4图系显示根据本发明第二实施例所述之电压侦 测电路之电路图。 第5图系显示侦测电压与温度变化之关系图。 第6图系显示侦测电压于sub-1V与温度变化之关系图 。 |
